Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

Semiconductor dispositivos – Discretos dispositivos –

Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada(IGBTs)

Dispositivos de semiconductores – Dispositivosdiscretos –

Parte 9: Transistores bipolares de de puerta aislada(IGBT)

SEMICONDUCTOR DEVICE–DISCRETE DEVICES –

Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs)

PRÓLOGO

1) La Comisión Electrotécnica Internacional (IEC) es una organización mundial de normalización integrada por todos los comités electrotécnicos nacionales (Comités Nacionales IEC). El objeto de la IEC es promover la cooperación internacional en todas las cuestiones relativas a la normalización en los ámbitos eléctrico y electrónico. Con este fin, y además de otras actividades, la IEC publica Normas Internacionales, Especificaciones Técnicas, Informes Técnicos, Especificaciones de libre acceso (PAS) y Guías (en adelante denominadas “Publicaciones IEC”). Su elaboración se encomienda a comités técnicos; cualquier Comité Nacional IEC interesado en la materia tratada puede participar en este trabajo preparatorio. Las organizaciones internacionales, gubernamentales y no gubernamentales que mantienen vínculos con la IEC también participan en esta preparación. La IEC colabora estrechamente con la Organización Internacional de Normalización (ISO) de conformidad con las condiciones determinadas por acuerdo entre ambas organizaciones.

2) Las decisiones formales o los acuerdos de la IEC sobre cuestiones técnicas expresan, en la medida de lo posible, un consenso internacional de opiniones sobre los temas pertinentes, ya que cada comité técnico cuenta con representación de todos los Comités Nacionales IEC interesados.

3) Las Publicaciones IEC tienen la forma de recomendaciones para uso internacional y son aceptadas por los Comités Nacionales IEC en ese sentido. Aunque se realizan todos los esfuerzos razonables para garantizar que el contenido técnico de las Publicaciones IEC sea exacto, la IEC no puede ser considerada responsable de la forma en que se utilicen ni de cualquier interpretación errónea por parte de un usuario final.

4) Con el fin de promover la uniformidad internacional, los Comités Nacionales IEC se comprometen a aplicar las Publicaciones IEC de forma transparente en la mayor medida posible en sus publicaciones nacionales y regionales. Cualquier divergencia entre una Publicación IEC y la publicación nacional o regional correspondiente deberá indicarse claramente en esta última.

5) La IEC no establece ningún procedimiento de marcado para indicar su aprobación y no puede ser considerada responsable de ningún equipo declarado conforme con una Publicación IEC.

6) Todos los usuarios deben asegurarse de disponer de la edición más reciente de esta publicación.

7) La IEC, sus directores, empleados, funcionarios o agentes, incluidos los expertos individuales y los miembros de sus comités técnicos y de los Comités Nacionales IEC, no asumirán responsabilidad alguna por lesiones personales, daños materiales u otros daños de cualquier naturaleza, ya sean directos o indirectos, ni por costes (incluidos los honorarios legales) y gastos derivados de la publicación, uso o اعتماد?

8) Se llama la atención sobre las referencias normativas citadas en esta publicación. El uso de las publicaciones citadas es indispensable para la correcta aplicación de esta publicación.

9) Se llama la atención sobre la posibilidad de que algunos de los elementos de esta Publicación IEC puedan estar sujetos a derechos de patente. La IEC no será responsable de identificar cualesquiera o todos esos derechos de patente.

La Norma Internacional IEC 60747-9 ha sido preparada por el subcomité 47E: Dispositivos semiconductores discretos, del comité técnico 47 de la IEC: Dispositivos semiconductores.

Esta segunda edición de la IEC 60747-9 anula y sustituye la primera edición (1998) y su enmienda 1 (2001).

Los principales cambios con respecto a la edición anterior se enumeran a continuación.

a) Se modificó el apartado 3 añadiendo términos que deberían incluirse.

b) Se modificaron los apartados 4 y 5 mediante las adiciones y supresiones pertinentes que deberían incluirse.

c) Los apartados 6 y 7 de la Enmienda 1 se combinaron en el apartado 6 con las adiciones y correcciones pertinentes que deberían incluirse.

d) El apartado 8 de la Enmienda 1 pasó a numerarse como el apartado 7. Esta norma debe leerse conjuntamente con la IEC 60747-1.

El texto de esta norma se basa en los siguientes documentos:

Toda la información sobre la votación para la aprobación de esta norma puede consultarse en el informe sobre la votación indicado en la tabla anterior.

Esta publicación se ha redactado de conformidad con las Directivas ISO/IEC, Parte 2.

Lista de todas las partes de la serie IEC 600747, bajo el título general:Semiconductor devices – Discrete devices , puede consultarse en el sitio web de la IEC.

El comité ha decidido que el contenido de esta publicación permanecerá sin cambios hasta la fecha del resultado de mantenimiento indicada en el sitio web de la IEC, bajo «http://webstore.iec.ch» en los datos relacionados con la publicación específica. En esa fecha, la publicación será

• reconfirmada,

• retirada,

• reemplazada por una edición revisada, o

• modificada.

SEMICONDUCTORDEVICES –

DISCRETEDEVICES –

Part 9: Insulated-gate bipolartransistors (IGBTs)

1 SAlcance

Esta parte de la IEC 60747 establece normas específicas de producto sobre terminología, símbolos literales, valores nominales y características esenciales, verificación de los valores nominales y métodos de medición para transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).

2 Normative references

Los siguientes documentos de referencia son indispensables para la aplicación de este documento. En las referencias fechadas, solo se aplica la edición citada. En las referencias sin fecha, se aplica la última edición del documento de referencia (incluidas todas las enmiendas).

IEC 60747-1:2006,Semiconductor devices – Part 1:General

IEC 60747-2,Semiconductor devices – Discretedevices y integrated circuits – Part 2: Rectifierdiodes

IEC 60747-6, Semiconductor devices – Part 6:Thyristors

IEC 61340 (todas las partes), Electrostatics

3 Terms y definitions

A efectos de este documento, se aplican los siguientes términos y definiciones.

3.1 Graphical symbol of IGBT

El símbolo gráfico que se muestra a continuación se utiliza en esta edición de la IEC 60747-9.

Símbolo gráfico

NOTA En esta norma solo se utiliza el símbolo gráfico del IGBT de canal N. También se aplica a la medición de dispositivos de canal P. En el caso de los dispositivos de canal P, debe adaptarse la polaridad.