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YZPST-150B120F23
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo de potencia IGBT YZPST-150B120F23
VCE=1200V IC=150A
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador servo de CA y CC
UPS (fuentes de alimentación ininterrumpida)
Máquina de soldadura con conmutación suave
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología trench field-stop
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluye FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10 us)
Estructura de módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión 175 ℃
Absoluto Máximo Clasificaciones
Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Corriente continua de colector | IC | Tc=100℃ | 150 | A |
Corriente máxima de colector | ICRM | tp=1ms | 300 | A |
Tensión puerta-emisor | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Disipación total de potencia (IGBT-inversor) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 968 | W |
Características del IGBT
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Tensión umbral puerta-emisor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =4mA, Tvj=25℃ | 5.2 | 6 | 6.8 | V |
| VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Corriente de corte colector-emisor | ICES | VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Colector-emisor | Ic=150A, VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.8 | 2.1 | V | ||
| Tensión de saturación | VCE(sat) | Ic=150A, VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Capacitancia de entrada | Cies | 9.8 | nF | |||
| Capacitancia de salida | Coes | VCE=25V, VGE =0V, | 0.82 | nF | ||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.48 | nF | ||
| Resistencia interna de puerta | Rgint | 2.5 | Ω | |||
| Tiempo de retardo de activación | td(on) | 185 | Ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC =150 A | 55 | Ns | ||
| Tiempo de retardo al apagado | td(off) | VCE = 600 V | 360 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 115 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 5.1Ω | 15.4 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=25℃ | 11.6 | mJ | ||
| Tiempo de retardo de activación | td(on) | 200 | Ns | |||
| Tiempo de subida | tr | IC =150 A | 60 | Ns | ||
| Tiempo de retardo de apagado | td(off) | VCE = 600 V | 420 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 120 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 5.1Ω | 23.2 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=125℃ | 17 | mJ | ||
| Tp≤10us, VGE=15V, | ||||||
| Datos de cortocircuito | Isc | Tvj=150℃, Vcc=600V, | 500 | A | ||
| VCEM≤1200V | ||||||
Características del diodo
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Corriente directa continua del diodo | IF | Tc=100℃ | 150 | A | ||
| Corriente directa de pico del diodo | IFRM | 300 | A | |||
| IF=150A, Tvj=25℃ | 1.8 | 2.3 | V | |||
| Tensión directa | VF | IF=150A, Tvj=125℃ | 1.85 | V | ||
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Carga recuperada | Qrr | 13.4 | uC | |||
| IF =150 A | ||||||
| Corriente inversa de recuperación de pico | Irr | VR=600V | 143 | A | ||
| Tiempo de recuperación inversa | trr | -diF/dt =2200A/us | 160 | ns | ||
| Energía de recuperación inversa | Erec | Tvj=25℃ | 9.1 | mJ | ||
| Carga recuperada | Qrr | 26.1 | uC | |||
| IF =150 A | ||||||
| Corriente inversa de recuperación de pico | Irr | VR=600V | 178 | A | ||
| Tiempo de recuperación inversa | trr | -diF/dt =2200A/us | 440 | ns | ||
| Energía de recuperación inversa | Erec | Tvj=125℃ | 15.4 | mJ | ||
Características del módulo TC=25°C salvo que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| Tensión de aislamiento | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Temperatura máxima de la unión | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvjop | -40 | 125 | ℃ | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| por inversor IGBT | 0.155 | K/W | ||||
| Junta a carcasa | R θjc | por inversor de diodos | 0.292 | K/W | ||
| Carcasa a disipador | R θcs | Grasa conductora aplicada | 0.05 | K/W | ||
| Par de apriete de los electrodos del módulo | Mt | Recomendado (M5) | 2.5 | 5 | N·m | |
| Par de apriete del módulo al disipador | Ms | Recomendado (M6) | 3 | 5 | N·m | |
| Peso del módulo | G | 150 | g | |||
Dimensiones del encapsulado
Para más información sobre YZPST-150B120F23descargue el archivo PDF anterior llamado “YZPST-150B120F23 "
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