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YZPST-MKP0.22 UF-1500VDC
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Módulo de potencia con IGBT Trench Field-Stop, diodo controlado por emisor y NTC
YZPST-P035PJE120AT1B
Características
Tecnología Trench+Field Stop
IGBT de trinchera y field-stop de 1200 V
Baja VCE(sat) con bajas pérdidas de conmutación
Aplicaciones
Convertidores de frecuencia
Variadores de motor
Inversores auxiliares

Esquema del circuito equivalente

Inversor IGBT
Máximo nominal Valores
Símbolo | Descripción | Condiciones | Valores | Unidad |
VCES | Tensión colector-emisor | Ty=25℃ | 1200 | V |
VGEs | Tensión máxima de pico puerta-emisor | Ty=25℃ | ±20 | V |
Ic | Continuo CC Colector Corriente | Tc=100℃ | 35 | A |
CRM | Pico repetitivo Colector Corriente | tp=1ms | 70 | A |
Ptot | Disipación total de potencia | Tc=25℃, Tymax=175℃ | 172 | W |
Valores característicos
Símbolo |
Descripción |
Condiciones | Valores |
Unidad | ||
Mín. | Típ. | Máx. | ||||
VcE(sat) | Tensión de saturación colector-emisordel voltaje | VGE=15V, Ic=35A, Ty=25℃ |
| 2.15 |
| V |
VGE=15V, Ic=35A, Tv=125℃ |
| 2.57 |
| V | ||
VgE(th | Tensión umbral de compuerta | VGE=VcE,c=1.2mA |
| 5.6 |
| V |
CES | Corte colector-emisor Corriente | VcE=1200V,VGE=0V |
|
| 1 | mA |
GES | Corriente de fuga puerta-emisor Corriente | VGE=20V,VcE=0V |
|
| 100 | nA |
Cies | Entrada Capacitancia |
VcE=25V, VGE=OV, f=1MHz |
| 2590 |
| pF |
Coes | Capacitancia de salida |
| 180 |
| pF | |
Cres | Capacitancia de transferencia inversacitancia |
| 86 |
| pF | |
td(on) | Tiempo de retardo de encendido |
VcE=600V VGF=±15V Ic=35A Rg=120 Inductivo carga Ty=25℃ |
| 34 |
| ns |
t | Tiempo de subida de encendido |
| 20 |
| ns | |
td(off) | Tiempo de retardo de apagado |
| 230 |
| ns | |
t | Tiempo de caída al apagado |
| 160 |
| ns | |
Eon | Encendido Pérdida de conmutación |
| 2.5 |
| mJ | |
Eoff | Pérdida de conmutación en el apagado lsc |
| 2.5 |
| mJ | |
lsc | Datos de cortocircuito | VGE≤15V,Vcc=800V tp≤10μs, Tv=150℃ |
| 151 |
| A |
RthJC | Resistencia térmica, unión a caja | Por IGBT |
|
| 0.87 | K/W |
Tw OF | Temperatura de unión virtualatura | Durante la conmutación | -40 |
| 150 | ℃ |
Contornos del encapsulado (mm)
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