Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Para obtener más información sobreDiodo de alta tensióndescargue el archivo PDF anterior llamado "YZPST HIGH VOLTAGE DIODE IN PLASTIC PACKAGE Rev.02"
N.º | Artículo | Símbolo | Unidad | Valor nominal | Condiciones |
1 | Tensión inversa máxima repetitiva | VRRM | kV | 8 | |
2 | Corriente media en directa | IF (AV) | mA | 200 | Tamb=60 °C Media onda senoidal de 50 Hz Valor medio de rectificación |
3 | Corriente de sobretensión directa | IFSM | A | 15 | Tamb=25 °C Media onda senoidal de 50 Hz, pulso único |
4 | Corriente de sobretensión inversa | IRSM | μA | 5 | |
5 | Temperatura máxima de unión | Tjmax | °C | 130 | |
6 | Temperatura de almacenamiento | Tstg | °C | -40~+130 |
N.º | Artículo | Símbolo | Unidad | Valor nominal | Condiciones de prueba |
1 | Caída de tensión directa | VFM | V | 18 máx. | IFM=200 mA |
2 | Corriente inversa a temperatura normal | IRM1 | μA | 5 máx. | VRM=8 kV |
YZPST puede proporcionar la siguiente lista de equivalentes de diodos de alta tensión.
Diodos de alta tensión
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
Diodo de alta tensión y alta frecuencia
2CL G 20mA 20KV 80ns
04D, 04Z (10mA 4000V, 80ns)
08D,08X, 08Z (10mA 8000V, 80ns)
PST-12 (10mA 12000V, 80ns)
PST-14 (10mA 12000V, 80ns)
PST-16 (10mA 12000V, 80ns)
HV37-08 (200mA 8KV 80ns)
HV37-08F (200mA 8KV 70ns)
HV37-10 (200mA 10KV 80ns)
HV37-20 (200mA 20KV 80ns)
HV37-20F (200mA 20KV 70ns)
CL03-10F (300mA 10KV 80ns)
FOB (450mA 8KV 40ns)
FOB-12 (450mA 12KV 40ns)
Pila de silicio de alto voltaje
(20mA-10A, 30KV-500KV)
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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