YZPST-M2G0080120D

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MOSFET de potencia de carburo de silicio de canal N de 1200 V, MOSFET SiC

Características
Encapsulado optimizado con pin de fuente de controlador independiente
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Diodo intrínseco rápido con baja carga de recuperación inversa (Qrr)
Fácil de conectar en paralelo
Cumple con RoHS
Ventajas
Mayor eficiencia del sistema
Reduce los requisitos de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Permite una mayor frecuencia
Minimiza el anillo de compuerta
Reducción de la complejidad y el coste del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación conmutadas
Convertidores CC/CC
Inversores solares
Cargadores de baterías
Variadores de motor
MOSFET de potencia

Valores máximos(Tc = 25 °C salvo que se especifique lo contrario )

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Condiciones de prueba	Nota
f^DSmax	Tensión de ruptura drenaje-fuente	1200	V	mar=0 V, /d=100 卩A
Id	Corriente continua de drenaje	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Disipación de potencia	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Voltaje puerta-fuente recomendado	-0.25	V
J^Smax	Voltaje máximo puerta-fuente	-0.4	V	CA (f>lHz)	Nota 1
Tj, Tstg	Rango de temperatura de unión y almacenamiento en funcionamiento	-55 a	°C
Tj, Tstg		175	°C
7l	Temperatura de soldadura	260	°C

Características eléctricas

Símbolo	Parámetro	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condiciones de prueba	Nota
Estática
BVds	Tensión de ruptura drenaje-fuente	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Corriente de drenaje con voltaje de puerta cero	—	11	100		dans=1200 V Pgs=0 V
Igss	Fuga entre compuerta y fuente	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Tensión umbral puerta-fuente	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Resistencia en conducción drenaje-fuente	—	78	100	mQ	guó=20 V, Zd=20 A	Fig. 6
Dinámica
Ciss	Capacitancia de entrada	—	1128		PF	4s=0 V,bǐs=1000 V	Fig. 17
C^oss	Capacitancia de salida	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Capacitancia de transferencia inversa	—	5
Eoss	Energía almacenada de Coss	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Carga total de puerta	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Carga compuerta-fuente	-	17			血=20 A
Qgd	Carga compuerta-drenador	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Tiempo de retardo de encendido	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Tiempo de subida de encendido	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Tiempo de retardo de apagado	—	48			Id=20A
tf	Tiempo de caída al apagado	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Resistencia interna de puerta	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV

Características del diodo de cuerpo, a Tj=25 °C, salvo que se indique lo contrario

Símbolo	Parámetro	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condiciones de prueba	Nota
Is	Corriente directa continua del diodo	-	-	42	A		Nota 1
	Tensión directa del diodo	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	Fig. 8,
	Tensión directa del diodo	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	9,10
trr	Tiempo de recuperación inversa	-	26	-	ns	1s=20 A,既)s=800 V
0r	Carga de recuperación inversa	-	163	-	nC	%s=・5 V	Nota 1
Zrrm	Corriente máxima de recuperación inversa		12		A	di/dt=2100 A/us