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YZPST-M1A080120L1
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
MOSFET de potencia SiC de canal N
P/N: YZPST-M1A080120L1
Características
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Fácil de conectar en paralelo y sencillo de excitar
Ventajas
Mayor eficiencia del sistema
Menores requisitos de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación
Convertidores CC/CC de alta tensión
Variadores de motor
Fuentes de alimentación conmutadas
Aplicaciones de potencia pulsada
Parte Número | Encapsulado |
M1A080120 L1 | TO-247-4 |
Máximo Clasificaciones (TC=25℃ usalvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VDSmax | Tensión drenador-fuente | 1200 | V | VGS=0 V, ID=100μA | |
| VGSmax | Tensión puerta-fuente | -0.4 | V | Absoluto valores máximos | |
| VGSop | Tensión puerta-fuente | -0.25 | V | Funcionamiento recomendadovalores operativos | |
| ID | Continuo Corriente de drenaje | 36 | A | VGS=20V, Tc=25℃ | |
| 24 | VGS=20V, Tc100℃ | ||||
| ID(pulso) | Pulsada Corriente de drenaje | 80 | A | Ancho de pulso tp límited por TJmax | |
| PD | Potencia Disipación | 192 | W | Tc=25℃, TJ=150℃ | |
| TJ, TSTG | Temperatura de unión y de almacenamiento en operación | -55 a +150 | ℃ |
Características eléctricas (TC=25℃ salvosalvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Mín.. | Típ.. | Máx.. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| V(BR)DSS | Drenador-fuente Rupturawn Voltage | 1200 | / | / | V | VGS=0 V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensión umbral de puertage | 2 | 2.4 | 4 | V | VHoja de datos=VGS, ID=5mA | Fig. 11 |
| / | 1.8 | / | VHoja de datos=VGS, ID=5mA, TJ=150℃ | ||||
| IDSS | Tensión de puerta cero Corriente de drenaje | / | 1 | 100 | µA | VHoja de datos=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Compuerta-Fuente Corriente de fuga | / | 10 | 250 | nA | VHoja de datos=0V, VGS=25V | |
| IGSS- | Compuerta-Fuente Corriente de fuga | / | 10 | 250 | nA | VHoja de datos=0V, VGS=-10V | |
| RHoja de datos(on) | Estado de conducción drenaje-fuente ResistenciaResistencia | / | 80 | 98 | mΩ | VGS=20V, ID=20 A | Fig. |
| / | 140 | / | VGS=20V, ID=20A, TJ=150℃ | 4,5,6 | |||
| Ciss | Capacitancia de entrada | / | 1475 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | Capacitancia de salida | / | 94 | / | pF | VHoja de datos=1000V | 15,16 |
| Crss | Capacitancia de transferencia inversaCapacitancia | / | 11 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Coss Almacenada Energía | / | 52 | / | µJ | VCA=25mV | |
| EEncendido | Conmutación de encendido Energía | / | 564 | / | µJ | VHoja de datos=800V, VGS=-5V/20V | |
| Eapagado | Conmutación de apagado Energía | / | 260 | / | ID=20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH | ||
| td(on) | Encendido Tiempo de retardo | / | 9.3 | / | |||
| tr | Tiempo de subida | / | 9.5 | / | VHoja de datos=800V, VGS=-5V/20V, ID=20 A RG(ext)=2.5Ω, RL=40Ω | ||
| td(off) | Apagado Tiempo de retardo | / | 18 | / | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | / | 7.6 | / | |||
| RG(int) | Compuerta interna Resistencia | / | 3.1 | / | Ω | f=1MHz, VCA=25mV | |
| QGS | Puerta a fuente Carga | / | 24 | / | VHoja de datos=800V | ||
| QGD | Puerta a Carga de drenaje | / | 15 | / | nC | VGS=-5V/20V | |
| QG | Carga total de compuerta Carga | / | 79 | / | ID=20 A |
Recuperación inversa Características del diodoCaracterísticas del diodo
| Símbolo | Parámetro | Típ.. | Máx.. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VSD | Diodo Tensión directa | 3.6 | / | V | VGS=-5V, ISD=10A | Fig. 8,9,10 |
| 3.3 | / | VGS=-5V, ISD=10A, TJ=150℃ | ||||
| IS | Continuo Diodo Corriente directa | / | 44 | A | TC=25℃ | |
| trr | Recuperación inversa Tiempo de recuperación | 35 | / | ns | ||
| Qrr | Recuperación inversa Carga de recuperación | 91 | / | nC | VR=800V, ISD=20 A | |
| Irrm | repetitivo Recuperación inversa Corriente de recuperación | 4.5 | / | A |
Encapsulado Dimensiones
Encapsulado TO-247-4
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
