







YZPST-KPX1000A-1600V
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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo SCR en antiparalelo ENSAMBLAJE-KPX1000A-1600V
Características:
diseño totalmente difundido
alta capacidad de corriente
alta capacidad de corriente de pico
altas tensiones nominales
alto dv/dt
baja corriente de compuerta, compuerta dinámica
baja impedancia térmica
tamaño compacto y peso reducido
APLICACIONES
Accionamientos de alta potencia
Control de motores de CC
Fuentes de alimentación de alto voltaje
Estado de bloqueo - apagado
| VRRM(1) | VDRM(1) | VRSM(1) |
| 1600 | 1600 | 1700 |
VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva
VDRM = Tensión de estado de bloqueo de pico repetitiva
VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva (2)
Corriente de fuga repetitiva de pico en inversa y de estado de bloqueo | IRRM / IDRM | 10 mA 100 mA (3) |
Tasa crítica de aumento de la tensión | dV/dt (4) | 1000 V/ms |
Conducción: estado de encendido
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Valor máximopromedio de la corriente en estado de conducción | IT(AV) |
| 1000 |
| A | Onda sinusoidal, 180oconducción,Tc=95oC |
RConducción: estado de encendido Valor eficaz de la corriente en estado de conducción | ITRMSM |
| 1570 |
| A | Valor nominal |
Pico de sobrecorriente de un solo pulso corriente no repetitiva |
ITSM |
| -
30 |
| kA
kA | 8,3 mseg (60 Hz), onda sinusoidal- forma, 180oconducción, Tj = 125 oC 10,0 ms (50 Hz), onda sinusoidal- forma, 180oconducción, Tj = 125 oC |
I²t | I2t |
| 4500x103 |
| A2s | 10 ms |
Tensión de umbral | VT(T0) |
| 0.928 |
| V |
|
Resistencia de pendiente | rT |
| 0.189 |
| mΩ |
|
Corriente de enclavamiento | IL |
| 2000 |
| mA | VD = 12 V; RL= 12 ohmios |
Corriente de mantenimiento | IH |
| 500 |
| mA | VD = 12 V; I = 2.5 A |
Tensión máxima en conducción | VTM |
| 1.75 |
| V | ITM =3000A(MÁX);Tj =1 25 oC |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de encendido corriente (5, 6) | di/dt |
| 200 |
| A/ms | Conmutación desde VDRM £ 1000 V, no repetitiva |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de encendido corriente (6) | di/dt |
| - |
| A/ms | Conmutación desde VDRM £ 1000 V |
Disparo de compuerta
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Disipación máxima de potencia en la compuerta | PGM |
| 30 |
| W |
|
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) |
| 4 |
| W |
|
Corriente de pico de compuerta | IGM |
| - |
| A |
|
Corriente de compuerta necesaria para disparar todas las unidades | IGT |
| 300 |
| mA | VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Tensión de compuerta necesaria para disparar todas las unidades
| VGT |
| 3 |
| V
| VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Tensión negativa máxima | VRGM |
| 5 |
| V |

Para obtener más información sobreYZPST-KPX1000A-1600Vpor favor descargue el archivo PDF anterior llamado "ensamblaje del módulo SCR antiparalelo -KPX1000A-1600V"
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