YZPST-MCR100-8 SCR sensible de 0.8 A

símbolo

valor

unidad

IT(RMS)

1

A

VDRM/VRRM

600

V

VTM

≤1.5

V

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Almacenamiento rango de temperatura de unión

Tstg

-40~150

℃

Funcionamiento rango de temperatura de unión

Tj

-40~110

℃

Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (Tj=25℃)

VDRM

600

V

Pico repetitivo tensión inversa de bloqueobloqueo (Tj=25℃)

VRRM

600

V

Corriente eficaz en estado de conducción

IT(RMS)

0.8

A

Sobretensión no repetitiva pico en estado ON corriente (ciclo completo, F=50Hz)

ITSM

8

A

I2valor t para fusible (tp=10ms)

I2t

0.32

A2s

Crítica tasa de aumento de la corriente en estado de conduccióncorriente de compuerta (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Pico de compuerta current

IGM

0.2

A

Compuerta media potencia disipada

PG(AV)

0.1

W

Pico de compuerta potencia

PGM

0.5

W

Símbolo

Condición de prueba

Valor

Unidad

MÍN

TIPO

MAX

IGT

VD=12V, RL=33Ω

-

20

200

µA

VGT

-

0.6

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=110℃ RL3.3kΩ

0.2

-

-

V

IH

IT=50mA

-

-

5

mA

IL

IG=1.2IGT

-

-

6

mA

dV/dt

VD=0.66×VDRMTj=110℃ G abierto RGK=1KΩ

10

-

-

V/ µs