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YZPST-2SA1930
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Transistor PNP de silicio en encapsulado plástico TO-220F. P/N:YZPST-2SA1930
Transistor PNP de silicio en encapsulado plástico TO-220F.
Características
Alta fT, par complementario con 2SC5171.
TO-220F 2SA1930 transistor PNP de silicio Alta fT par complementario con 2SC5171
Absoluto Máximo Clasificaciones(Ta=25ngs(Ta=25℃)
Parámetro | Símbolo | Valor nominal | Unidad |
Tensión colector-base | VCBO | -180 | V |
Tensión colector-emisor | VCEO | -180 | V |
Tensión emisor-base | VEBO | -5.0 | V |
Corriente de colector - continua | IC | -2.0 | A |
Corriente de base | IB | -1.0 | A |
Disipación de potencia del colector | PCB | 2.0 | W |
Disipación de potencia del colector | PC(Tc=25℃) | 20 | W |
Temperatura de unión | Tj | 150 | ℃ |
Rango de temperatura de almacenamiento | Tstg | -55～150 | ℃ |
Características eléctricas(Ta=25℃)
Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Mín | Típ | Máx | Unidad |
Ruptura colector-emisor Voltaje | VCEO | IC=-10mA IB=0 | -180 |
|
| V |
Corriente de corte del colector | ICBO | VCB=-180V IE=0 |
|
| -5.0 | μA |
Corriente de corte del emisor | IEBO | VEB=-5.0V IC=0 |
|
| -5.0 | μA |
Ganancia de corriente continua | hFE(1) | VCE=-5.0V IC=-100mA | 100 |
| 320 |
|
hFE(2) | VCE=-5.0V IC=-1.0A | 50 |
|
|
| |
Tensión de saturación colector-emisor | VCE(sat) | IC=-1.0A IB=-100mA |
| -0.24 | -1.0 | V |
Tensión base-emisor | VBE | VCE=-5.0V IC=-1.0A |
| -0.68 | -1.5 | V |
Frecuencia de transición | fT | VCE=-5.0V IC=-300mA |
| 200 |
| MHz |
Capacitancia de salida del colector | Cob | VCB=-10V IE=0 f=1.0MHz |
| 26 |
| pF |
Encapsulado Dimensiones
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