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YZPST-2SA1930
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YZPST-2SA1930

Transistor PNP de silicio en un paquete de plástico TO-220F. P/N: YZPST-2SA1930

Transistor PNP de silicio en un paquete de plástico TO-220F. 

Características

Alto fT, par complementario con 2SC5171.

Transistor PNP de silicio TO-220F 2SA1930 Alto fT par complementario con 2SC5171

Correo electrónico: info@yzpst.net

Tel: 008613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-2SA1930
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descripción1
Cierre de cremallera Sudaderas deportivas 1/5 con cremallera para hombres. Tejido elástico, ligero, de secado rápido para un rendimiento superior. AJUSTE REGULAR - Tallas estándar de EE. UU. Un ajuste atlético que se ajusta cerca del cuerpo para una amplia gama de movimientos, diseñado para un rendimiento óptimo y comodidad durante todo el día. CARACTERÍSTICAS - Cierre de cremallera cuarto de longitud; Agujeros para los pulgares en las mangas largas para mantenerlas en su lugar durante el entrenamiento
DESCRIPCIÓN

Transistor PNP de silicio en un paquete de plástico TO-220F. P/N: YZPST-2SA1930

Transistor PNP de silicio en un paquete de plástico TO-220F.

Características

Alto fT, par complementario con 2SC5171.

Transistor PNP de silicio TO-220F 2SA1930 Alto fT par complementario con 2SC5171

Absoluto Máximo Rati ngs(Ta=25 °C )


Parámetro


Símbolo


Clasificación


Unidad

Voltaje colector-base

VCBO

-180

V

Voltaje colector-emisor

VCEO

-180

V

Voltaje Emisor a Base

VEBO

-5.0

V

Corriente del Colector - Continua

IC

-2.0

A

Corriente de Base

IB

-1.0

A

Disipación de potencia del colector

PC

2.0

W

Disipación de potencia del colector

PC(Tc=25℃)

20

W

Temperatura de la unión

Tj

150

°C

Rango de temperatura de almacenamiento

Tstg

-55~150

°C

Características Eléctricas (Ta=25 °C )


Parámetro

Símbolo


Condiciones de Prueba

Mín

Típ

Máx

Unidad

Ruptura Colector-Emisor

Voltaje

VCEO

IC=-10mA IB=0

-180

V

Corriente de corte del colector

ICBO

VCB=-180V IE=0

-5.0

μA

Corriente de corte del emisor

IEBO

VEB=-5.0V IC=0

-5.0

μA

Ganancia de corriente continua

hFE(1)

VCE=-5.0V IC=-100mA

100

320

hFE(2)

VCE=-5.0V IC=-1.0A

50

Collector to Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=-1.0A IB=-100mA

-0.24

-1.0

V

Voltaje Base a Emisor

VBE

VCE=-5.0V IC=-1.0A

-0.68

-1.5

V

Frecuencia de Transición

fT

VCE=-5.0V IC=-300mA

200

MHz

Capacitancia de Salida del Colector

Cob

VCB=-10V     IE=0

f=1.0MHz

26

pF

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