YZPST-100-8

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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.

CENTRO DE DOCUMENTACIÓN

MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES
PParámetro	Ssímbolo	Vvalor	UUnidad
Almacenamiento de launión temperatura rango	Tstg	-40 ~ 150	℃
Funcionamiento unión temperatura rango	Tj	-40~ 125	℃
repetitiva sobretensión pico Apagado-de conducción voltaje	VDRM	900	V
repetitiva Tensión inversa máxima de pico	VRRM	900	V
Eficaz on-de conducción current	IT(Eficaz)	1.0	A
No repetitiva sobretensión pico on-de conducción corriente( 180° conducción ángulo, F=50Hz,t=10ms/60Hz,8 3ms)	ITSM	12	A
I2valor t para fusión (tp= 10ms)	I2t	0.72	A2S
Crítica de de subida de on-de conducción current (I =2×IGT, tr≤ 100 ns)	di/dt	50	A/μS
Peak compuerta current	IGM	0.5	A
Promedio disipación de potencia de compuerta	PG(AV)	0.1	W
Máximo ddispositivo temperatura para para fines de soldadura (para 10 segundos mmáximo)	TL	260	℃
nivel ESDvel	HBM	Clase 3 (4000-16000V)
Humedad sensible nivel	MSL	Tres-nivel (30℃,60%HR,168h)

ELÉCTRICO CARACTERÍSTICAS (T=25℃salvo que se especifique)
Ssímbolo	Prueba Condición	Vvalor			UUnidad
Ssímbolo	Prueba Condición	MlV	TÍP.	MAX	UUnidad
IGT	V = 12V R = 140Ω	20	40	120	4A
VGT	V = 12V R = 140Ω	-	-	1 0	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃R= 1KΩ	0.2	-	-	V
IL	IG= 1.2IGT	-	-	6	mA
IH	IT=50mA	-	-	5	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Puerta Abierto Tj=125℃	50	-	-	V/ μs