Símbolo

Valor

Unidad

Yo _T(RMS)

31

A

V _DRM V _RRM

1200

V

Yo _GT

35

m A

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Rango de temperatura de la unión de almacenamiento

Tstg

-40 ~150

°C

Rango de temperatura de la unión de operación

Tj

-40~125

°C

Voltaje de pico repetitivo en estado de apagado (T =25℃)

V _DRM

1200

V

Voltaje de pico repetitivo en estado inverso (T =25℃)

V _{R RM}

1200

V

Voltaje de pico de sobretensión no repetitivo en estado de apagado

V _DSM

V _DRM +100

V

Voltaje de pico inverso no repetitivo

V _{R SM}

V _{R RM} +100

V

RMS corriente de estado encendido (T = 100 ℃)

Yo _T(RMS)

31

A

Corriente pico de estado encendido no repetitiva

Yo _TSM

300

A

Corriente promedio de estado encendido (ángulo de conducción de 180°)

Yo _T(AV)

20

A

Yo ² Valor de tiempo para fusión (tp=10ms)

Yo ² t

450

A ² S

Tasa crítica de aumento de la corriente de estado activo

(I =2×IGT , tr ≤ 100 ns )

dI/dt

5 0

A/ S

Corriente pico de compuerta

Yo _GM

4

A

Disipación promedio de potencia en la compuerta

P _G(AV)

1

W

Símbolo

Condición de prueba

Valor

Unidad

Yo _GT

V =12V R =140Ω

MÁX.

35

m A

V _GT

MÁX.

1.3

V

V _GD

V _D =V _DRM Tj=125℃ R=1KΩ

MÍN.

0. 2

V

Yo _L

Yo _G =1.2I _GT

MÁX.

75

mA

Yo _H

IT=50mA

MÁX.

50

mA

dV/dt

V _D =2/3V _DRM Puerta Abierta Tj=125℃

MÍN.

500

V/μs

Símbolo

Parámetro

Valor (MÁX.)

Unidad

V _TM

Yo _TM = 40 A tp=380μs

Tj =25℃

1.65

V

Yo _DRM

V _D =V _DRM V _R =V _RRM

Tj =25℃

20

A

Yo _RRM

Tj =125°C

4

mA

Símbolo

Parámetro

Valor (MÁX.)

Unidad

Rth(j-a)

unión a ambiente(DC)

60

°C/W

Rth(j- c )

Junction to case (DC)

1.0