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YZPST-S2035 SCR de 20 A
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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YZPST-S2035
20A SCRs
DESCRIPCIÓN:
Tiristores pasivados con vidrio en encapsulado plástico. La serie S2035 de SCR es adecuada para todo tipo de control y se utiliza en aplicaciones como protección crowbar contra sobretensión, circuitos de control de motor en herramientas eléctricas y electrodomésticos de cocina, circuitos de limitación de corriente de arranque, encendido por descarga capacitiva, control de motores de CA con arranque suave y circuitos de regulación de tensión…
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
Símbolo | Valor | Unidad |
IT(RMS) | 31 | A |
VDRMVRRM | 1200 | V |
IGT | 35 | mA |
VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40 ~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión en funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (T =25℃) | VDRM | 1200 | V |
Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃) | VRRM | 1200 | V |
Tensión máxima de apagado en sobretensión no repetitiva | VDSM | VDRM+100 | V |
Tensión inversa de pico no repetitiva | VRSM | VRRM+100 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción (T =100℃) | IT(RMS) | 31 | A |
Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción
| ITSM | 300 | A |
Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°) | IT(AV) | 20 | A |
I2Valor t para fusión (tp=10 ms) | I2t | 450 | A2S |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I =2×IGT, tr≤ 100 ns) | dI/dt | 50 | A/μS |
Corriente de pico de compuerta | IGM | 4 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ salvo que se especifique lo contrario)
Símbolo | Condición de prueba |
| Valor | Unidad |
IGT | V =12V R =140Ω | MÁX. | 35 | mA |
VGT | MÁX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRMTj=125℃ R=1KΩ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG=1.2IGT | MÁX. | 75 | mA |
IH | IT=50mA | MÁX. | 50 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRMPuerta abierta Tj=125℃ | MÍN. | 500 | V/μs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Símbolo | Parámetro | Valor (MÁX.) | Unidad | |
VTM | ITM =40A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.65 | V |
IDRM | VD=VDRMVR=VRRM
| Tj =25℃ | 20 | μA |
IRRM | Tj =125℃ | 4 | mA | |
Resistencias térmicas
Símbolo | Parámetro | Valor (MÁX.) | Unidad |
Rth(j-a) | unión a ambiente (CC) | 60 | ℃/W |
Rth(j-c) | De la unión a la carcasa (CC) | 1.0 |
TO-220M1Datos mecánicos del encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
