





YZPST-1A01K170K
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Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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YZPST-1A01K170K
MOSFET de potencia de carburo de silicio
Modo de enriquecimiento de canal N
VHoja de datos= 1700 V
RDS(on) = 1.0ΩI_DS@25°C = 5.0 A
Características
Capacitivo de alta tensión
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de conducción
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Fácil de conectar en paralelo y sencillo de excitar
Capacitancia drenaje-compuerta ultrabaja
Robustez frente a avalanchas
Ventajas
Mayor eficiencia del sistema
Menores requisitos de refrigeración
Mayor fiabilidad del sistema
Mayor frecuencia de conmutación del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación auxiliares
Fuentes de alimentación conmutadas
| Número de pieza | Encapsulado |
| 1A01K170K | TO-247-3 |
Valores máximos (Tc=25°C salvo que se especifique lo contrario)

Para obtener más información sobreYZPST-1A01K170Kdescargue el archivo PDF anterior llamado “YZPST-1A01K170K "
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