YZPST-25TTS12FP

Símbolo

Valor

Unidad

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

1200

V

IGT

10-20

mA

Símbolo

PARÁMETRO

Valor

Unidad

IT(RMS)

corriente eficaz en estado de conducción (todos los ángulos de conducción)

TO-220AB

Tc=90℃

25

A

ITSM

corriente máxima de sobretensión no repetitiva en estado de conducción (semiciclo senoidal, Tj=25℃)

F=50HZ tp=10ms

250

A

I2t

Valor I²t para fusibles

tp=10ms

312

A2 S

di/dt

tasa repetitiva de incremento de la corriente en estado de conducción

Corriente después del disparo

F=120HZ,Tj=125℃

100

A/μs

VDRM

VRRM

Tensión repetitiva máxima en estado de bloqueo

Tensión inversa máxima repetitiva

Tj=25℃

1200

V

IGM

Corriente máxima de compuerta, tp=20us,

Tj=125 ℃

4

A

PG(AV)

Disipación media de potencia de compuerta

Tj=125 ℃

1

W

Tstg

Rango de temperatura de unión de almacenamiento

-40 a +150

℃

Tj

Rango de temperatura de unión de funcionamiento

-40 a +125

℃

Símbolo

Condición de prueba

Cuadrante

Valor

Unidad

IGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

Ⅰ

MAX

25

mA

VGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

Ⅰ

MAX

1.2

V

VGD

VD=VDRM RL=3.5KΩ Tj=125℃

MÍN

0.2

V

IH

IT=100mA, IG=50mA

MAX

50

mA

IL

IG=1.2IGT

Ⅰ

MAX

80

mA

dv/dt

VD=67% VDRM compuerta abierta(Tj=125℃)

MÍN

1000

V/μs

Símbolo

Parámetro

Valor

Unidad

VTM

IT=50A, IG=50mA, T=25°C

MAX

1.50

V

IDRM/IRRM

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=25℃

MAX

5

μA

IDRM/IRRM a alta temperatura

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=125℃

MAX

1

mA

Rth(j-c)

Unión a encapsulado (CC), TO-220A

MAX

0.9

℃/W