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YZPST-600HFX170C6S Módulo IGBT
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo IGBT YZPST-600HFX170C6S
1700 V/600 A, 2 en un solo encapsulado
Descripción general
El módulo de potencia IGBT ofrece una pérdida de conducción ultrabaja, así como gran robustez frente a cortocircuitos.
Está diseñado para aplicaciones como
inversores generales y UPS.
inversores generales y UPS.
Características
· Tecnología IGBT trench de baja VCE(sat)
· Capacidad de cortocircuito de 10 μs
· VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
· Temperatura máxima de unión 175 °C
· Encapsulado de baja inductancia
· Diodo rápido y suave de recuperación inversa antiparalelo
· Base de cobre aislada con tecnología DBC
Aplicaciones típicas
· Inversor para accionamiento de motor
· Amplificador de accionamiento servo AC y DC
· Alimentación ininterrumpida
IGBT
Símbolo | Descripción | Valor | Unidad |
VCES | Tensión colector-emisor | 1700 | V |
VGES | Tensión puerta-emisor | ±20 | V |
IC | Corriente de colector TC=25 °C TC=100 °C | 1069 600 | A |
ICM | Corriente de colector pulsada tp=1 ms | 1200 | A |
PD | Disipación máxima de potencia T=175 °C | 4166 | W |
Diodo
Símbolo | Descripción | Valor | Unidad |
VRRM | Tensión inversa máxima repetitiva | 1700 | V |
IF | Corriente directa continua del diodo | 600 | A |
IFM | Corriente máxima directa del diodo tp=1 ms | 1200 | A |
Módulo
Símbolo | Descripción | Valor | Unidad |
Tjmax | Temperatura máxima de la unión | 175 | °C |
Tjop | Temperatura de unión de funcionamiento | -40 a +150 | °C |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -40 a +125 | °C |
VISO | Tensión de aislamiento RMS, f=50 Hz, t=1 min | 4000 | V |
IGBT Características TC=25 °C salvo indicación contraria
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| IC=600 A, VGE=15 V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Colector a emisor | IC=600 A, VGE=15 V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Tensión de saturación | IC=600 A, VGE=15 V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Umbral puerta-emisor Voltaje | IC= 12,0 mA, VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Colector Corte-Apagado | VCE=VCES,VGE=0 V, | 5 | mA | ||
| Corriente | Tj=25oC | |||||
| IGES | Corriente de fuga puerta-emisor Corriente | VGE=VGES,VCE=0 V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Resistencia interna de puertaance | 1.3 | Ω | |||
| Cies | Capacitancia de entrada | VCE=25 V, f=1 MHz, | 72.3 | nF | ||
| Cres | Transferencia inversa | VGE=0V | 1.75 | nF | ||
| Capacitancia | ||||||
| QG | Carga de puerta | VGE=- 15…+15 V | 5.66 | μC | ||
| td(on) | Tiempo de retardo de conexión | 170 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida | 67 | ns | |||
| td(apagado) | Apagado Tiempo de retardo | VCC=900 V, IC=600 A, RG= 1,0 Ω, VGE=±15 V, Tj=25oC | 527 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | 138 | ns | |||
| Eon | Encendido Conmutación | 154 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| Eapagado | Conmutación de apagado | 132 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| td(on) | Tiempo de retardo de conexión | 168 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida | 80 | ns | |||
| td(apagado) | Apagado Tiempo de retardo | VCC=900 V, IC=600 A, RG= 1,0 Ω, VGE=±15 V, Tj= 125oC | 619 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | 196 | ns | |||
| Eon | Encendido Conmutación | 236 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| Eapagado | Conmutación de apagado | 198 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| td(on) | Tiempo de retardo de conexión | 192 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida | 80 | ns | |||
| td(apagado) | Apagado Tiempo de retardo | VCC=900 V, IC=600 A, RG= 1,0 Ω, VGE=±15 V, Tj= 150oC | 640 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída | 216 | ns | |||
| Eon | Encendido Conmutación | 259 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| Eapagado | Conmutación de apagado | 215 | mJ | |||
| lsc | ||||||
| tP≤10 μs, VGE=15 V, | ||||||
| ISC | Datos de SC | Tj=150oC, VCC= 1000 V, VCEM≤1700 V | 2400 | A |
Dimensiones del encapsulado
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