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YZPST-P150HFN120AT1R6
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N:YZPST-P150HFN120AT1R6
Módulo de 62 mm con Trench/Fieldstop de conmutación rápida IGBT y Rápido Tiempo Diodo
Características
■ Pérdidas de conmutación bajas
■ Baja VcEsal
■ Baja VcE(sat con coeficiente de temperatura positivo
Aplicaciones
■ Accionamientos de motor
Sistemas UPS
■ Inversor de alta potencia
Esquema del circuito equivalente
Inversor IGBT
Valores nominales máximos
Símbolo | Descripción | Condiciones | Valores | Unidad |
VcEs | Tensión colector-emisor | Tv=25℃ | 1200 | V |
VGEs | Tensión máxima de pico puerta-emisor | Ty=25℃ | ±20 | V |
lc | Corriente continua de colector en CC | Tc=100℃ | 150 | A |
CRM | Corriente de pico repetitiva de colector | tp=1ms | 300 | A |
Ptot | Disipación total de potencia | Tc=25℃,Tyjmax=175℃ | 1500 | W |
Valores característicos
| Símbolo | Valores | |||||
| Descripción | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
| VcE(sat | Tensión de saturación colector-emisor | VcE=15V,Ic=150A,Tv=25℃ | 2.2 | V | ||
| Vge=15V,Ic=150A,Tv=125℃ | 2.5 | V | ||||
| VgE(th | Tensión umbral de compuerta | VgE=VcE,Ic=3.8mA | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| IcEs | Corte colector-emisor Corriente | VcE=1200V,VgE=0V | mA | |||
| GES | Corriente de fuga puerta-emisor Corriente | VcE=20V,VcE=0V | 600 | nA | ||
| RGint | Interno Puerta Resistencia | Ty=25℃ | 3.8 | Ω | ||
| Cies | Entrada Capacitancia | 11.5 | nF | |||
| Coes | Capacitancia de salida | Vce=25V,Vce=0V,f=1MHz | 1 | nF | ||
| Cres | Capacitancia de transferencia inversacitancia | 0.4 | nF | |||
| tt(on) | Tiempo de retardo de encendido | 139 | ns | |||
| Vcc=600V | ||||||
| t | Tiempo de subida de encendido | VoE=±15V | 37 | nS | ||
| d(a) | Tiempo de retardo de apagado | Ic=150A | 192 | nS | ||
| t | Tiempo de caída al apagado | Rg=2.0g | 128 | nS | ||
| Eon | Encendido Pérdida de conmutación | Inductivo carga | 7.9 | -= | mJ | |
| E₀ff | Pérdida de conmutación en el apagado lsc | Ty=25℃ | 8.4 | mJ | ||
| Isc | Datos de cortocircuito | VcE≤15V,Vcc=600V | 518 | A | ||
| tp≤10μs,Tv=25℃ | ||||||
| Resistencia térmica, unión a encapsulado | Por IGBT | —-- | 0.1 | —-- | K/W | |
| Twop | Temperatura virtual de la unióntura | Durante la conmutación | -40 | 150 | ℃ | |
Diodo - inversor
Valores nominales máximos
Símbolo | Descripción | Condiciones | Valores | Unidad |
VRRM | Pico repetitivo de recuperación inversa Voltaje | Tv=25℃ | 1200 | V |
lF | Corriente directa continua en CC |
| 150 | A |
lFRM | Corriente de pico repetitiva de colector | tp=1ms | 300 | A |
Valores característicos
| Símbolo | Valores | |||||
| Descripción | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
| Tensión directa | lr=150A,Vse=0V,Tv=25℃ | 2.5 | V | |||
| VF | l=150A,Vge=0V,Tv=125℃ | 1.9 | —-- | V | ||
| RM | Carga de recuperación inversa de picode | —-- | 42 | A | ||
| Qr | Carga recuperada | I=150A, Vg=600V, Vge=-15V | 3.1 | uC | ||
| Erec | Energía de recuperación inversa | Ty=25℃ | 1.1 | mJ | ||
| Tuop | Temperatura virtual de la unióntura | Durante la conmutación | -40 | 150 | ℃ | |
Encapsulado Contornos (mm)
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
