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YZPST-BTA208X-600E
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Serie BTA208 de triacs de 8 A
YZPST-BTA208X-600E
DESCRIPCIÓN:
Con una alta capacidad para soportar las cargas de choque de grandes
corrientes, los triacs de la serie BTA208 ofrecen una alta tasa de dv/dt
con una gran resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Con altas prestaciones de conmutación, los productos de 3 cuadrantes
se recomiendan especialmente para su uso en cargas
inductivas. Desde los tres terminales hasta el disipador externo,
el BTA208 ofrece una tensión de aislamiento nominal de 2500 VRMS
cumpliendo con las normas UL (n.º de archivo: E516503).
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 8 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES:
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
ITSM | Pico de corriente no repetitiva en estado ON Corriente (tp=10 ms) | 80 | A |
I2t | (tp=10 ms) | 32 | A2S |
dI/dt | IG=2IGT , tr≤100 ns, Tj=125 ℃ | 50 | A/ μs |
IGM | Corriente pico de compuerta (tp=20 us) | 2 | A |
PG(AV) | Potencia media de compuerta | 1=0,5 | W |
Tstg Tj | Temperatura de almacenamiento Temperatura de unión de funcionamiento | -40--+125 -40--+125 | ℃ |
Viso | CA RMS aplicada durante 1 minuto entre el terminal y la carcasa |
1800 |
V |
Valor de I²t para fusible (tp=10 ms) | I2t | 32 | A2s |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
potencia pico de compuerta | PGM | 5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | Valor | |||||||
| Condición de prueba | Cuadrante | TW | SW | CW | BW | Unidad | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MÍN | 0.2 | V | |||
| IH | IT100mA | MAX | 10 | 20 | 40 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 20 | 25 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 35 | 70 | 90 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Apertura de puerta | ||||||||
| dV/dt | MÍN | 50 | 200 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
| Ⅱ |
| 70 | 90 |
| |
dV/dt | VD=2/3VDRM Tj=125 ℃ compuerta abierta |
MÍN |
200 |
500 |
V/ μs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
| VTM | ITM=11 A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 5 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 1 | mA |
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
