YZPST-HV12-30
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Características
1. Alta fiabilidad
2. Características de sobretensión únicas
3. Tiempo de recuperación rápida de hasta 80 ns (Trr)
4. Baja caída de tensión directa (Vf)
5. Corriente rectificada de 5~10 mA, tensión soportada de hasta 12 kV
6. Temperatura de unión de -40~+130 ℃
Aplicación
Fotocopiadoras, purificadores de aire, láseres, monitores de rayos catódicos
1.Main Specification
No. |
Item |
Symbol |
Unit |
Rating |
Conditions |
1 1 |
Repetitive Peak Reverse Voltage |
VRRM |
KV |
12 |
|
2 |
Average Forward Curriente |
IF (AV) |
mA |
10 | Tamb=60 oC 50HZ Sine-half Wave Rectification Average Valor |
3 |
Forward Surge Currente |
IFSM |
A |
0.5 | Tamb=25 oC 50HZ Sine-half Wave,One Shot |
4 |
Reverse Surge Curriente |
IRSM |
μA |
2 |
Pulse width 1ms triangle wave single pulse |
5 |
Máx.imum Junction Temperature
|
Tjmax |
oC |
130 |
|
6 |
Storage Temperature |
Tstg |
oC |
-40~+130 |
2. Electric Specification
NO. |
Item |
Symbol | Unit |
Rating |
Ensayo conditions |
1 |
Forward Voltage Drop |
VFM |
V |
18mMáx |
IF(AV)=10 mA |
2 |
Normal Temperature Reverse Curriente |
IRM1 |
μA |
2mMáx |
VRM=12KV |
3 |
High Temperature Reverse Curriente |
IRM2 |
μA |
2mMáx | Tamb=100oC VRM=12KV |
4 |
Reverse Breakdown Voltage |
VZ |
KV |
12 |
IR=10 mA |
5 |
Reverse Recovery Time |
trr |
nS |
80 |
IF=2mA, IRM=4 mA 90% |
(Tamb=25 °C, salvo que se especifique lo contrario)
3. Application
Para rectificación de alta tensión;
YZPST puede proporcionar la siguiente lista de equivalentes de diodos de alta tensión.
Diodos de alta tensión
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
Diodo de alta tensión de alta frecuencia
2CL G 20mA 20KV 80ns
04D, 04Z (10mA 4000V, 80ns)
08D,08X, 08Z (10mA 8000V, 80ns)
PST-12 (10mA 12000V, 80ns)
PST-14 (10mA 12000V, 80ns)
PST-16 (10mA 12000V, 80ns)
HV37-08 (200mA 8KV 80ns)
HV37-08F (200mA 8KV 70ns)
HV37-10 (200mA 10KV 80ns)
HV37-20 (200mA 20KV 80ns)
HV37-20F (200mA 20KV 70ns)
CL03-10F (300mA 10KV 80ns)
FOB (450mA 8KV 40ns)
FOB-12 (450mA 12KV 40ns)
Pila de silicio de alto voltaje
(20mA-10A, 30KV-500KV)
Para obtener más información sobreDiodo de alta tensióndescargue el archivo PDF anterior llamado "YZPST HIGH VOLTAGE DIODE IN PLASTIC PACKAGE Rev.02"
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