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YZPST-FQP3P50
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MOSFET FQP3P50
P/N: YZPST-FQP3P50
DESCRIPCIÓN:
El FQP3P50 es un MOSFET de potencia de modo de enriquecimiento de canal P
.Este MOSFET de potencia se usa normalmente en fuentes de alimentación conmutadas de alta velocidad,
amplificadores de audio, control de motores en CC
y aplicaciones de alimentación con conmutación variable.

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
| VDSS | Tensión drenador-fuente | -500 | V | |
| VGSS | Tensión puerta-fuente | ±30 | V | |
| Tc=25℃ | -2.7 | A | ||
| ID | Corriente continua de drenaje | Tc= 100℃ | -1.71 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada | -10.8 | A | |
| Ptot | Disipación de potencia (TC=25°C) | TO-220C | 85 | W |
| Tj | Temperatura de unión | 150 | ℃ | |
| Tstg | Temperatura de funcionamiento y almacenamientoeratura | -205 | ℃ | |
| EAS | Avalancha Energía | 250 | mJ | |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TC = 25°C, salvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
| Mín. | Tipo | Máx. | ||||
| BVDSS | Tensión de ruptura drenaje-fuentede | VGS= 0V, ID=- 250μA | -500 | V | ||
| VDS=-500V ,VGS=0V | -1 | uA | ||||
| IDSS | Corriente de fuga drenaje-fuenterente | VDS=-400V,VGS=0V , | -100 | uA | ||
| Tc=125℃ | ||||||
| IGSS | Fuga entre compuerta y fuente Corriente | VGS= ±30V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Tensión umbral de compuerta | VDS= VGS,ID= - 250uA | -3 | -5 | V | |
| RDS(ON) | Conducción estática drenaje-fuente Resistencia | VGS= -10V ,ID= -1A | 5 | Ω | ||
| ∆BVDSS/ ∆TJ | Temperatura de tensión de rupturaatura Coeficiente | ID = -250 µA, | 0.42 | V/℃ | ||

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