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YZPST-T4150-08FT
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES | |||
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Almacenamiento temperatura de unión rango | Tstg | -40~ 150 | ℃ |
Funcionamiento unión temperatura rango | Tj | -40~ 125 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo(T =25℃) | VDRM | 800/1600 | V |
Tensión repetitiva de pico en inversa (T =25℃) | VRRM | 800/1600 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción (TC=80℃) | IT(Eficaz) | 40 | A |
Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 400 | A |
I2Valor t para fusión (tp= 10ms) | I2t | 800 | A2 S |
Crítica de de subida de on-de conducción current(I =2×IGT) | di/dt | 50 | A/μS |
Pico de compuerta current | IGM | 8 | A |
Disipación de potencia de pico de compuertaión | PGM | 40 | W |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
Resistencias térmicas | |||
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
Rth(j-c) | Unión a encapsulado | 0.8 |
℃/W |
Rth(j-a) | Unión a ambiente | 50 | |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T=25℃ salvo que se especifique lo contrario) | |||||
Símbolo | Condición de prueba | Cuadrante |
| Valor | Unidad |
IGT | VD= 12 V,IT=0,1 A,Tj=25 ℃ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MAX. | 50 | mA |
VGT | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MAX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRMTj=125℃ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MÍN. | 0.2 | V |
IL | IG= 1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ |
MAX. | 100 |
mA |
Ⅱ | 160 | ||||
IH | IT=500mA | MAX. | 80 | mA | |
dV/dt | VD=2/3VDRMGate Abierto Tj=125℃ | MÍN. | 1000 | V/μs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS | ||||
Símbolo | Parámetro | Valor(MAX.) | Unidad | |
VTM | ITM=60A tp=380μs | Tj=25℃ | 1.5 | V |
VTO | Tensión de umbral | Tj = 125℃ | 0.80 | V |
RD | Resistencia dinámica | Tj = 125℃ | 15 | mΩ |
IDRM | VD=VDRMVR=VRRM | Tj=25℃ | 10 | μA |
IRRM | Tj = 125℃ | 6 | mA | |
TO-3PF Encapsulado Mecánico Datos
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
