YZPST-BT145-800R
DESCRIPCIÓN:
Rectificador Controlado de Silicio pasivado plano (SCR) en un paquete plástico TO220 destinado para su uso en aplicaciones que requieren una alta capacidad de bloqueo bidireccional de voltaje, alta capacidad de corriente de entrada y alto rendimiento en ciclos térmicos.
Características y beneficios
Control de potencia AC
Alta capacidad de bloqueo bidireccional de voltaje
Alto rendimiento en ciclos térmicos
Pasivado plano para resistencia y confiabilidad de voltaje
Alta capacidad de temperatura de operación en la unión (Tj(max) = 150 °C)
El paquete cumple con el requisito de inflamabilidad UL94V0
El paquete cumple con RoHS
IEC 61000-4-4 transitorio rápido
Aplicaciones
Ignición por descarga capacitiva (CDI)
Protección de cortocircuito
Protección de entrada
Control de motor
Regulación de voltaje
Alta capacidad de temperatura de operación en la unión (Tj(max) = 150 °C)
P/N: YZPST-BT145-800R
DESCRIPCIÓN:
Rectificador Controlado de Silicio (SCR) planar pasivado en un paquete plástico TO220 destinado para su uso en aplicaciones que requieren una alta capacidad de voltaje de bloqueo bidireccional, alta capacidad de corriente de entrada y alto rendimiento en ciclos térmicos.
Características y beneficios
Control de potencia de CA
Alta capacidad de voltaje de bloqueo bidireccional
Alto rendimiento en ciclos térmicos
Planar pasivado para resistencia y confiabilidad de voltaje
Alta capacidad de temperatura de operación en la unión (Tj(max) = 150 °C)
El paquete cumple con el requisito de inflamabilidad UL94V0
El paquete cumple con la directiva RoHS
IEC 61000-4-4 transitorio rápido
Aplicaciones
Encendido por descarga capacitiva (CDI)
Protección de cortocircuito
Protección contra sobretensiones de arranque
Control de motor
Regulación de voltaje
Capacidad de alta temperatura de operación en la unión (Tj(máx) = 150 °C)
Rápido datos de referencia
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín | Típico | Máx | Unidad | |
| Máximo absoluto clasificación | |||||||
| V RRM | repetitivo pico inverso voltaje | - | - | 800 | V | ||
| I T(RMS) | corriente RMS en estado de encendido | media onda sinusoidal; T mb \[≤] 128 \u00b0C; | - | - | 25 | A | |
| Fig. 1 ; Fig. 2 ; Fig. 3 | |||||||
| I TSM | pico no repetitivo en- corriente de estado | media onda sinusoidal; T j(ini t) = 25 °C; t p = 10 ms; Fig. 4 ; Fig. 5 | - | - | 300 | A | |
| media onda sinusoidal; T j(init) = 25 °C; t p = 8.3 ms | - | - | 330 | A | |||
| T j | temperatura de unión | - | - | 150 | °C | ||
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín | Típico | Máx | Unidad | |
| Características estáticas | |||||||
| I GT | corriente de disparo de compuerta | V D = 12 V; I T = 0.1 A; T j = 25 °C; Fi g. 7 | 1.5 | - | 15 | mA | |
| I H | corriente de retención | V D = 12 V; T j = 25 °C; Fig. 9 | - | - | 60 | mA | |
| V T | voltaje de estado activo | I T = 30 A; T j = 25 °C; Fig. 10 | - | 1.1 | 1.5 | V | |
| Características dinámicas | |||||||
| dV D /dt | tasa de aumento de estado de reposo voltaje | V DM = 536 V; T j = 150 °C; (V DM = 67% de V DRM ); forma de onda exponencial; abrir la compuerta circuito | 80 | - | - | V/ μs | |
Valores l dmite
De acuerdo con el Sistema de Clasificaci n M dima Absoluta (IEC 60134).
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín | Máx | Unidad | |
| V DRM | repetitivo pico de apagado te voltaje | - | 800 | V | ||
| V RRM | repetitivo pico inverso voltaje | - | 800 | V | ||
| I T(AV) | corriente media en estado de encendido | media onda sinusoidal; T mb \[≤] 128°C; | - | 16 | A | |
| I T(RMS) | corriente RMS en estado de encendido | media onda sinusoidal; T mb \[≤] 128°C; Fig. 1 ; Fig. 2 ; Fig. 3 | - | 25 | A |
| I TSM | no repetitivo pico en estado de encendido corriente de estado | media onda sinusoidal; T j(ini t) = 25 °C; t p = 10 ms; Fig. 4 ; Fig. 5 | - | 300 | A | |
| media onda sinusoidal; T j(init) = 25 °C; t p = 8.3 ms | - | 330 | A | |||
| I 2 t | I 2 t para fusión | t p = 10 ms; SIN | - | 450 | A 2 s | |
| d I T /dt | tasa de aumento de estado de encendido corriente | I G = 20 mA | - | 200 | A/ μs | |
| I GM | pico de puerta corriente | - | 5 | A | ||
| V RGM | pico puerta inversa | - | 5 | V | ||
| voltaje | ||||||
| P GM | pico de puerta potencia | - | 20 | W | ||
| P G(AV) | puerta promedio potencia | sobre cualquier 20 ms período | - | 0.5 | W | |
| T stg | temperatura de almacenamiento | -40 | 150 | °C | ||
| T j | temperatura de unión | - | 150 | °C |
Características térmicas
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín | Típico | Máx | Unidad | |
| R th(j-mb) | resistencia térmica | Fig. 6 | - | - | 1 | K/W | |
| desde unión a | |||||||
| montaje base | |||||||
| R th(j-a) | resistencia térmica | en libre aire | - | 60 | - | K/W | |
| desde unión a | |||||||
| aire libre ambiente |