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YZPST-BT145-800R
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N: YZPST-BT145-800R
DESCRIPCIÓN:
Rectificador controlado de silicio (SCR) con pasivación planar en encapsulado plástico TO220, destinado a aplicaciones que requieren alta capacidad de bloqueo bidireccional, alta capacidad de corriente de irrupción y alto rendimiento en ciclos térmicos.
Características y ventajas
Control de potencia CA
Alta capacidad de bloqueo bidireccional
Alto rendimiento frente al ciclado térmico
Pasivación planar para mayor robustez frente a la tensión y fiabilidad
Alta capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión (Tj(max) = 150 °C)
El encapsulado cumple el requisito de inflamabilidad UL94V0
El encapsulado cumple con RoHS
IEC 61000-4-4 transitorio rápido
Aplicaciones
Encendido por descarga capacitiva (CDI)
Protección crowbar
Protección contra corrientes de irrupción
Control de motores
Regulación de tensión
Alta capacidad de temperatura de funcionamiento de la unión (Tj(max) = 150 °C)
Respuesta datos de referencia
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
| Valores máximos absolutos clasificación | |||||||
| VRRM | repetitiva pico inversa voltaje | - | - | 800 | V | ||
| IT(RMS) | Corriente eficaz en estado de conducción | semionda; Tmb ≤ 128 °C; | - | - | 25 | A | |
| Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | |||||||
| ITSM | pico no repetitivo en- estado | semionda; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 | - | - | 300 | A | |
| semionda; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms | - | - | 330 | A | |||
| Tj | temperatura de unión | - | - | 150 | °C | ||
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
| Características estáticas | |||||||
| IGT | corriente de disparo de compuerta | VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C; Fig. 7 | 1.5 | - | 15 | mA | |
| IH | corriente de mantenimiento | VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9 | - | - | 60 | mA | |
| VT | tensión en conducción | IT = 30 A; Tj = 25 °C; Fig. 10 | - | 1.1 | 1.5 | V | |
| Características dinámicas | |||||||
| dVD/dt | tasa de aumento del estado de bloqueo voltaje | VDM = 536 V; Tj = 150 °C; (VDM = 67% de VDRM); forma de onda exponencial; puerta abierta circuito | 80 | - | - | V/μs | |
Valores límite
De acuerdo con el sistema de valores máximos absolutos (IEC 60134).
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Máx. | Unidad | |
| VDRM | repetitiva pico en estado de bloqueota voltaje | - | 800 | V | ||
| VRRM | repetitiva pico inversa voltaje | - | 800 | V | ||
| IT(AV) | corriente media en estado de conducción | semionda; Tmb ≤ 128°C; | - | 16 | A | |
| IT(RMS) | Corriente eficaz en estado de conducción | semionda; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | - | 25 | A |
| ITSM | no repetitiva pico en estado de conducción estado | semionda; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 | - | 300 | A | |
| semionda; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms | - | 330 | A | |||
| I2t | I2t para fusión | tp = 10 ms; SIN | - | 450 | A2s | |
| d IT/dt | tasa de aumento del estado de conducción current | IG = 20 mA | - | 200 | A/μs | |
| IGM | corriente de compuerta pico current | - | 5 | A | ||
| VRGM | pico puerta inversa | - | 5 | V | ||
| voltaje | ||||||
| PGM | corriente de compuerta pico potencia | - | 20 | W | ||
| PG(AV) | corriente media de compuerta potencia | en cualquier intervalo de 20 ms período | - | 0.5 | W | |
| Tstg | temperatura de almacenamiento | -40 | 150 | °C | ||
| Tj | temperatura de unión | - | 150 | °C |
Características térmicas
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
| Rth(j-mb) | resistencia térmica | Fig. 6 | - | - | 1 | K/W | |
| desde unión a | |||||||
| montaje base | |||||||
| Rth(j-a) | resistencia térmica | en aire libre | - | 60 | - | K/W | |
| desde unión a | |||||||
| aire libre ambiente |
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