YZPST-VVZF70-16

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Valores

Unidad

Id(AV)

TJ=85°C, módulo

70

A

Id(AVM)

módulo

70

A

IFRMS, ITRMS,

por terminal

36

A

VRSM,VDSM,

Máximo    Ninguno    Pico de tensión inversa

1600

V

VRRM,VDRM,

Máximo repetitivo  inverso Voltaje

1600

V

IFSM, ITSM

TJ=45°C, VR =0 V

t = 10 ms (50Hz) ,senoidal

550

A

t = 8,3 ms (60Hz) ,senoidal

600

TJ = 125°C, VR =0 V

t = 10 ms (50Hz) ,senoidal

500

A

t = 8,3 ms (60Hz) ,senoidal

550

I2t

TJ=45°C, VR =0 V

t = 10 ms (50Hz) ,senoidal

1520

A2s

t = 8,3 ms (60Hz) ,senoidal

1520

TJ = 125°C, VR =0 V

t = 10 ms (50Hz) ,senoidal

1250

A2s

t = 8,3 ms (60Hz) ,senoidal

1250

VT

TJ= 25°C,IT = 80A

máx. 1.64

V

ID, IR

TJ= 125°C, VD = VDRM,VR = VRRM,

máx. 5

mA

VRGM

10

V

VA

Solo para cálculos de pérdidas de potencia

0.85

V

rT

11

m Ω

IH

TJ= 25°C

VD = 6V

<= 200

mA

IL

TJ= 25°C

IG = 0.45A,diG/dT=0.45A/us,tp= 10us

<= 450

mA

VGT

VD=6 V

TJ= 25°C

<= 1.5

V

TJ= -40°C

<= 1.6

IGT

VD=6 V

TJ= 25°C

<= 100

mA

TJ= -40°C

<= 200

VGD

TJ= 125°C,VD = 2/3VDRM

<= 0.2

V

IGD

<= 5

mA

tgd

TJ= 25°C,VD = 1/2VDRM

IG = 0.45A,diG/dT=0.45A/us

<= 2

us

tq

TJ= 125°C,VD = 2/3VDRM

IT = 20A,diG/dT = -10A/us,tp = 200us V R= 100V,dv/dT = 15V/us

250

us

TJ

Temperatura de unión

-40 hasta +125

°C

TSTG

Temperatura de almacenamiento Rango

-40 hasta +125

°C

Vaisl

CA 50/60Hz，valor eficaz, 1 s/1 min

3000/2500

V~

Md

Par de apriete de montaje（M5）

5

N·m

RθJC

Por tiristor/diodo; CC por módulo

0.9

K /W

0.15

Peso

50

g