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YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Módulo IGBT de 150 A y 1200 V
CARACTERÍSTICAS
Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito autorlimitada
CHIP IGBT (tecnología Trench + Field Stop)
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Conmutación rápida, bajas pérdidas de conmutación
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
APLICACIONES
Aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
convertidores de soldadura
Control de movimiento/servo
Sistemas UPS
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES Tc=25ec salvo indicación contraria especifique
Símbolo |
| Parámetro | Condiciones de prueba | Valores | Unidad |
IGBT | |||||
VCES |
| Colector - Tensión de emisor | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES |
| Puerta - Tensión de emisor |
| ±30 | V |
IC |
| Colector de CC Corriente | TC=25°C | 230 | A |
| TC=80°C | 150 | A | ||
ICM |
| Pico Corriente máxima de colector | tp=1 ms | 200 | A |
Ptot |
| Potencia Disipación Por IGBT |
| 694 | W |
Diodo | |||||
VRRM |
| Pico Tensión inversade | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
| Promedio Corriente directa | TC=25°C | 150 | A |
| TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM |
| Pico repetitivo Corriente directa | tp=1 ms | 200 | A |
ENCAPSULADO ESQUEMA
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
