YZPST-SDKF2X300-06B2
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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P/N: YZPST-SDKF2X300-06B2 Módulo FRED de 600V 300A
CARACTERÍSTICAS DEL PRODUCTO
Tiempo de recuperación inversa ultrarrápido
Características de recuperación inversa suave
Baja pérdida de recuperación inversa
Baja caída de tensión directa
Alta capacidad de corriente de sobretensión
Baja corriente de fuga
APLICACIONES
Soldadora por inversor
Sistema de alimentación ininterrumpida
Fuente de alimentación para galvanoplastia
Limpiador y soldadora ultrasónicos
Convertidor y chopper
PFC
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES( T C =25 ° C salvo que se especificado)
Símbolo | Parámetro/condición de ensayons | Valores | Unidad | |
VR | Máximo D°C Recuperación inversa Voltaje | 600 | V | |
VRRM | Máximo Pico de tensión inversa | |||
IF(AV) | Promedio Corriente directa | TC=75℃, Por Diodo | 300 |
A |
TC=75℃, Por Módulo | 2X300 | |||
IF(Eficaz) | Eficaz Corriente directa | TC=75°C, Por Diodo | 430 | |
IFSM | No Sobretensión repetitiva Directo Corriente | TJ=45℃,t=10/8.3ms,Senoidal,50/60Hz | 2400/2640 | |
TJ= 150℃ ,t=10/8.3ms,Senoidal,50/60Hz | 2160/2380 | |||
I2t | Para fusibles | TJ=45℃,t=10/8.3ms,Senoidal,50/60Hz | 28800/29300 | A2S |
TJ= 150℃ ,t=10/8.3ms,Senoidal,50/60Hz | 23300/23800 | |||
Ptot | Potencia Disipación,TC=25℃, | 875 | W | |
TJ | Temperatura de unión | -40 a +150 | ℃ | |
TSTG | Temperatura de almacenamiento Rango | -40 a +125 | ℃ | |
Vaisl | Aislamiento Tensión de ruptura | CA, 50Hz(R.M.S), t=1minuto/ 1 s | 3000/3600 | V |
Md | Módulo a disipador | Recomendado（M6） | 4.7 | Nm |
Módulo Electrodos | Recomendado（M6） | 4.7 | Nm | |
RthJC | Resistencia térmica de unión a carcasa (Per Diodo ) | 0.143 | ℃ /W | |
Peso |
| 170 | g | |
ELÉCTRICAS CARACTERÍSTICAS (T C =25 ° C salvo que se especificado)
| Símbolo | Parámetro/condición de ensayons | Mín.. | Típ.. | Máx.. | Unidad | ||
| IR | Máximo Recuperación inversa FugaCorriente | VR = 600 V, TJ = 25℃ | 12 | mA | |||
| VR = 480 V, TJ = 25/ 125℃ | 3/80 | ||||||
| VF | Tensión directa | IF=150 A,TJ=25/ 125℃ | 1.27/ 1.05 | V | |||
| IF=260 A,TJ=25/ 125℃ | 1.36/ 1.19 | ||||||
| VTO | Para cálculos de pérdida de potencia solo | 0.85 | V | ||||
| trr | Recuperación inversa Tiempo Tiempo(IF = 300 A, d IF/dt = -400 A/ μs, VR = 300 V,TJ = 100℃) | 250 | 300 | ns | |||
| rT | 1.34 | m Ω | |||||
| IRRM | Máximo Recuperación inversa Corriente de recuperación | IF=300 A, VR =300 V, d IF/dt =- 400 A/ μs | TJ = 25℃ | 44 | |||
| TJ = 100℃ | 66 | A | |||||
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
