IMAGEN DEL PRODUCTO01 / GALERÍA
.webp)
.webp)
.webp)
COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-BTW69-1200
✓Información técnica del producto✓Asesoramiento de selección orientado a la aplicación✓Consulta basada en catálogo y requisitos
Correo electrónicoinfo@yzpst.net
Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
Descargas y archivos técnicos
SCRs YZPST-BTW69-1200
Alta densidad de corriente gracias a la tecnología de doble mesa.
serie de rectificadores controlados de silicio TO-P3 (aislados)
están diseñados específicamente para aplicaciones de conmutación de alta potencia y control de fase.
la serie es adecuada para aplicaciones de uso general, en las que se requiere una alta sensibilidad de compuerta.
proporciona una tensión de aislamiento de 2500 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
| Símbolo | Valor | Unidad |
| IT(RMS) | 50 | A |
| IGT | ≤80 | mA |
| VTM | ≤1.8 | V |
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
| Rango de temperatura de unión de almacenamiento | Tstg | -40 a +150 | ℃ | |
| Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40 a +125 | ℃ | |
| Tensión máxima repetitiva en estado de bloqueo Tj=25℃ Tensión inversa máxima repetitiva Tj=25℃ | VDRM VRRM | V | ||
| BTW69-1200 | 1200 | |||
| Corriente eficaz en estado de conducción (todos los ángulos de conducción) | TO-P3 Tc=80℃ | IT(RMS) | 50 | A |
| Corriente media en estado de conducción (onda sinusoidal semiperiodo) | TO-P3 Tc=80℃ | IT(AV) | 40 | A |
| Corriente máxima de sobretensión no repetitiva en estado de conducción (ciclo de onda sinusoidal semiperiodo, Tj=25℃) | f=50 Hz t=10 ms | ITSM | 520 | A |
| f=60 Hz t=8,3 ms | 540 | |||
| Valor I²t para fusibles | tp=10ms | I²t | 1350 | A²s |
| Tasa repetitiva de aumento de la corriente en conducción tras el disparo ITM=20A IG=50mA dlc/dt 50mA/ms | dl/dt | 150 | Aμs | |
| Corriente de puerta pico tp=20us,Tj=125℃ | IGM | 1.5 | A | |
| Potencia de puerta pico tp=20us,Tj=125℃ | PGM | 10 | W | |
| Disipación media de potencia de puerta Tj=125℃ | PG(AV) | 2 | W | |
No hay contenido adicional del producto disponible.
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
Seguir a YZPST
