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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-SKD82-18
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Rectificador en puente YZPST-SKD82-18
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valores | Unidades |
| Pico Tensión máxima en estado de bloqueo | VDRM | - | V | |
| No Pico Tensión máx. en estado de bloqueo | VDSM | - | ||
| Pico repetitivo de tensión inversa | VRRM | 1800 | V | |
| No Pico repetitivo de tensión inversa | VRSM | 1900 | V | |
| Salida rectificada mediato Corriente | IO(AV) | TC=85°C | 80 | A |
| Sobrecorriente directa Corriente | IFSM | 50Hz; Semionda, 1 pulso, No repetitivo | 750 | A |
| I t al cuadrado | I2t | 2 ms a 10 ms | 2.8 | KA2s |
| Sobrecorriente en estado de conducción Corriente | ITSM | 50Hz; Semionda, 1 pulso, No repetitivo | A | |
| - | ||||
| I t al cuadrado | I2t | 2 ms a 10 ms | - | KA2s |
| repetitivo Tensión directa | VFM | Tj=25°C; IF=150A | 1.6 | V |
| Tensión máxima en estado de conducción | VTM | - | ||
| repetitivo Corriente inversa | IRM | VRM= VRRM, Tj= 150 °C | 6 | mA |
| Crítica Tasa de corriente de encendido | di/dt | VD=2/3VDRM, ITM=2•IO, Tj=125°C IG=200mA, diG/dt=0,2A/μs | A/μs | |
| - | ||||
| Crítica Tasa de aumento de la tensión en estado de bloqueo | dv/dt | VD=2/3VDRM Tj=125°C | - | V/μs |
| Corriente de compuerta para disparo | IGT | VD=6V,IT=1A,Tj=25°C | - | mA |
| Tensión de compuerta para disparo | VGT | - | V | |
| Corriente de mantenimiento | IH | - | mA | |
| Térmica Resistencia | Rth(j-c) | Unión a Encapsulado | 1.1 | K /W |
| Rth(c-f) | De la carcasa a Aleta | 0.07 | K /W | |
| Tvj | -40~+150 | °C | ||
| Tstg | -40~+125 | °C | ||
| Vaisl | c.a. 50Hz; valor eficaz; 1 min. | 3600 | V | |
| Par de apriete de montaje | M | Montaje en la carcasa | 5 | N·m |
| Terminales |
DIBUJO ESQUEMÁTICO (Dimensiones en mm)
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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