YZPST-BTA40-800B TG40C80 TRIAC aislado moldeado de alta capacidad de sobretensión de 400 A

Símbolo

Ítem

Condiciones

Clasificaciones

Unidad

I_{T RMS} 

Corriente RMS en estado de conducción

Tc

40

A

I_TSM

Corriente de estado directo de sobretensión

Un ciclo, 50 Hz/, pico, no repetitivo

400 

A

I²t

I2t

Valor para un ciclo de corriente de sobretensión

880

A²S

P_GM 

Disipación de potencia pico de compuerta

10

W

P_{G AV}

Disipación de potencia media de compuerta

1

W

I_GM

Corriente pico de compuerta

8

A

V_GM 

Tensión pico de puerta

10

V

di/dt

Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción

IG=100 mA, Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1 A/μS

50

A/μS

Tj

Temperatura de unión de funcionamiento

-25～+125

℃

T_stg 

Temperatura de almacenamiento

-40～+125

℃

V_ISO 

Tensión de ruptura de aislamiento R.M.S.

C.A. 1 minuto

2500

V

Par de apriete de montaje M4

Valor recomendado 1,0 ～1.4（10～14）

14

kgf·cm

Símbolo

Ítem

Clasificaciones

Unidad

TG40C60

TG40C80

TG40C100

TG40C12

V

V_DRM 

Tensión de estado de bloqueo repetitiva de pico

600

800

1000

1200

V

Símbolo

Ítem

Condiciones

Clasificaciones

Unidad

I_DRM 

Corriente de estado de bloqueo repetitiva de pico, máx.

VD=VDRM, monofásico, media onda, Tj=125℃

5

mA

V_TM

Tensión de estado de conducción de pico, máx.

Corriente en estado de conducción Corriente en estado de conducción √2X IT (RMS), medición instantánea

1.55

V

I _GT1 +

1

Corriente de disparo de compuerta, máx.

Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V

50

mA

I _GT1 -

2

Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V

50

mA

I _GT3 +

3

-

mA

I _GT3 +

4

Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V

50

mA

V _GT1+

1

Tensión de disparo de compuerta, máx.

Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V

3

V

V _GT1-

2

Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V

3

V

V _GT3+

3

-

V

V _GT3-

4

Tj =25℃, IT=1 A, VD=6 V

3

V_GD 

Tensión de compuerta no disparada, mín.

Tj =25℃, VD=1/2VRRM

0.2

V

tgt

Tiempo de encendido, máx.

IT=(RMS), IG=100mA, VD=1/2VDRM, Tj=25℃, dIG/dt=1A/μS

10

V

dv/dt

Tasa crítica de aumento de la tensión en estado de conducción, mín.

Tj=25℃, VD=2/3VDRM Onda exponencial.

500

V/μS

(dv/dt) c

Tasa crítica de aumento de la tensión en estado de bloqueo durante la conmutación, mín.

Tj=25℃, VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS

5

V/μS

I_H

Corriente de mantenimiento, típ.

Tj =25℃

60

mA

R_th(j-c)

Impedancia térmica, máx.

Unión a encapsulado

0.9

℃/W