YZPST-MJE2955T
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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TRANSISTORES DE SILICIO DE POTENCIA PNP MJE2955T
El MJE2955T es un transistor PNP, complementario al MJE3055T, y se utiliza en circuitos de amplificación de audio de potencia y de conversión de potencia.
Formato de encapsulado: TO-220
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VCBO | Tensión colector-base | -70 | V |
VCEO | Tensión colector-emisor | -60 | V |
VEBO | Tensión emisor-base | -5 | V |
IC | Corriente continua de colector | -10 | A |
PTOT | Disipación total a Tcase=25 ℃ | 75 | W |
Tj | Temperatura de unión | 150 | ℃ |
Tstg | Rango de temperatura de almacenamiento | -55-150 | ℃ |
● CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS(TC = 25°C, salvo que se indique lo contrario) especificado)
Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
Mín. | Tipo | Máx. | ||||
VCBO | Tensión de ruptura colector-base | IC= -10mA | -70 |
|
| V |
VCEO | Tensión de ruptura colector-emisor | IC= -200mA | -60 |
|
| V |
VEBO | Tensión de ruptura emisor-base | IE= -10mA | - 5 |
|
| V |
ICBO | Corriente de corte del colector | VCB= -70V |
|
| 1 | mA |
IEBO | Corriente de corte del emisor | VEB= -5V |
|
| 5 | mA |
hFE | Ganancia de corriente continua | IC= -4A,VCE= -4V | 20 |
| 100 |
|
VCE(sat) | Tensión de ruptura colector-base | IC= -4A,IB= -0.4A |
|
| -1.1 | V |
VBE(sat) | Tensión de saturación base-emisor | IC= -4A,IB= -4A |
|
| -1.8 | V |
fT | Frecuencia de transición | VCE=10V, IC=0.5A，f=1MHZ | 2 |
|
| MHZ |
a：Prueba de pulso，tp ≤300us，δ≤2% | ||||||
ENCAPSULADO MECÁNICO MECÁNICOS
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
