MOSFET de potencia de canal P con trinchera, 100 V, R100P11A, TO-252
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Parámetro | Valor | Unidad |
VHoja de datos | -100 | V |
RDS(ON)_TYP | 156 | mΩ |
ID | -11 | A |
QG | 42.5 | nC |
Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad |
VHoja de datos | Tensión drenaje-fuente (VGS=0V) | -100 | V |
VGS | Tensión puerta-fuente (VHoja de datos=0V) | ±20 | V |
ID | Corriente de drenaje continua (TC=25℃) | -11 | A |
Corriente de drenaje continua (TC100℃) | -6.7 | A | |
IDM (pulso) | Corriente de drenaje continua @ CCorriente pulsada (Nota 1) | -44 | A |
PD | Máximo Disipación de potencia (TC=25℃) | 48 | W |
Máximo Disipación de potencia (TC100℃) | 19 | W | |
EAS | Energía de avalancha (Nota 2) | 72 | mJ |
TJ, TSTG | Temperatura de juntura de operación y almacenamientoy temperatura de almacenamiento Rango | -55 a 150 | ℃ |
Tabla 2. Característica térmicaística
Símbolo | Parámetro | Típ. | Máx. | Unidad |
RθJC | Térmica Resistencia, juntura a carcasa |
| 2.6 | ℃/W |
TO-252 Encapsulado Información
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
