YZPST-IKW40N65H3（YZPST-RG40N065FT)

Parámetro

Símbolo

Valor

Unidad

Tensión de ruptura colector-emisorwn Voltage

VCE

650

V

Corriente de colector en CC,limitada por Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IC

80

40

A

Corriente directa del diodo, limitada por Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IF

80

40

A

Continua puerta-emiter tensión

VGE

±20

V

Transitorio puerta-emisor tensión

VGE

±30

V

Apagado área de operación segura VCE ≤650V, Tj ≤ 175°C, tp = 1μs

-

120

A

Corriente de colector de pulso, VGE = 15V, tp limitada por Tjmax

ICM

120

A

Disipación de potencia , Tj=25°C

Ptot

188

W

Funcionamiento unión temperatura

Tj

-40...+175

°C

Temperatura de almacenamiento

TS

-55...+150

°C

Temperatura de soldadura, soldadura por ola 1,6 mm (0,063 pulg.) de case para 10 s

-

260

°C

Superficies de montaje par de apriete, M3 tornillo Máximo de montaje procesos: 3

M

0.6

Nm

Parámetro

Símbolo

Valor máximo

Unidad

Resistencia térmica del IGBTance, unión - case

Rθ(j-c)

0.8

K/W

Resistencia térmica del diodoce, unión - case

Rθ(j-c)

1.1

K/W

Resistencia térmica, unión - ambiente

Rθ(j-a)

40

K/W