YZPST-13005D

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TRANSISTORES DE POTENCIA DE SILICIO NPN 13005D
●DESCRIPCIÓN:
El 13005D es un transistor NPN utilizado en balastos electrónicos y lámparas electrónicas de bajo consumo. Presenta las características de baja pérdida de conmutación, alta fiabilidad, buenas prestaciones a alta temperatura, velocidad de conmutación adecuada, alta tensión de ruptura y baja corriente de fuga inversa.

YZPST-13005D-1

●VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo	Parámetro		Valor	Unidad
VCBO	Tensión colector-base		700	V
VCEO	Tensión colector-emisor		400	V
VEBO	Tensión emisor-base		9	V
I_C	Corriente continua de colector		3	A
Icm	Corriente de pulso de colector（Tp＜5ms）		6	A
PTOT	Disipación total a Tcase=25 ℃	TO-126SD	50	W
PTOT	Disipación total a Tcase=25 ℃	TO-220	75	W
T_j	Temperatura de unión		150	℃
T_stg	Rango de temperatura de almacenamiento		-55—150	℃

●CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TC = 25°C, salvo que se indique lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condición de prueba	Valor			Unidad
Símbolo	Parámetro	Condición de prueba	Mín.	Tipo	Máx.	Unidad
ICBO	Corriente de corte del colector	V_CB= 700 V，IE=0			0.1	mA
ICEO	Corriente de corte de base	V_CE= 400 V，Ic=0			0.1	mA
IEBO	Corriente de corte del emisor	V_EB= 9 V，I_C=0			0.1	mA
VCBO	Tensión de ruptura colector-base	I_C= 0.1mA	700			V
VCEO	Tensión de ruptura colector-emisor	I_C= 0.1mA	400			V
VEBO	Tensión de ruptura emisor-base	I_B= 0.1mA	9			V
hFE	Ganancia de corriente continua	I_C= 0.5A,V_CE= 5V	15		35
a VCE sat	Tensión de ruptura colector-base	I_C= 2A,I_B= 0.5A			1	V
a VBE sat	Tensión de saturación base-emisor	I_C= 2A,I_B= 0.5A			1.5	V
ts	Tiempo de almacenamiento	UI9600，Ic=0.5A	2		7	us
f_T	Frecuencia de transición	VCE=10V，IC=0.2AF=1MHz	5			MHz
a：Prueba de pulso，tp≤300us，δ≤2%