transistores de potencia de silicio complementarios 2N3055/MJ2955
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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DESCRIPCIÓN
El 2N3055 es un transistor NPN planar de base epitaxial de silicio montado en una caja metálica JEDEC TO-3.
Está destinado a circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y en derivación, etapas de salida y amplificadores de alta fidelidad.
El tipo PNP complementario es el MJ2955.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Parámetro | l | Valor | Unidad |
Tensión colector-base | VCBO | 100 | V |
Tensión colector-emisor | VCEO | 60 | V |
Tensión emisor-base | VEBO | 7 | V |
Corriente de colector | IC | 15 | A |
Corriente de base | IB | 7 | A |
Disipación total a | Ptot | 115 | W |
Temperatura máxima de unión de funcionamiento | Tj | 150 | oC |
Temperatura de almacenamiento | Tstg | 0 | oC |
ELECTRICAL CHARCATERISTICS ( Ta = 25 OC)
Parámetro | Símbolo | Ensayo Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
Corriente de corte del colector | ICEO | VCE=50V, IB=0 | — | — | 0.7 | mA |
Corriente de corte del emisor | IEBO | VEB=7V, IC=0 | — | — | 5.0 | mA |
Tensión de sostenimiento colector-emisor | VCEO | IC=100mA, IB=0 | 60 | — | — | V |
Ganancia de corriente continua | hFE(1) | VCE=4.0V, IC=4.0A | 30 | — | 70 |
|
hFE(2) | VCE=4.0V, IC=10A | 15 | — |
|
| |
Tensión de saturación colector-emisor | VCE(sat) | IC=4.0A,IB=400mA | — | — | 1.0 |
V |
IC=10A,IB=3.3A | — | — | 3.0 | |||
Tensión de encendido base-emisor | VBE(on) | VCE=4V,IC=4.0A | — | — | 1.8 | V |
Producto de ancho de banda de ganancia de corriente | fT | VCE=4.0V,IC500 mA | — | 3.0 | — | MHz |
Para obtener más información sobre2N3055/MJ2955descargue el archivo PDF anterior llamado " 2N3055-MJ2955-E PST"
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