YZPST-FZ600R17KE4

VCES

Colector a Emisor VVoltaje

1700

V

VGES

Tensión continua de puerta a Emisor Voltage

±30

V

IC

Corriente continua de colector

TC = 25°C

1200

A

TC = 100°C

600

ICM

Corriente de colector de pulso

TJ= 150 °C

1200

A

PD

Máximo Potencia Disipación (IGBT)

TC = 25 °C, TJ= 150 °C

2660

W

tsc

Tiempo de soportar cortocircuito

> 10

µs

TJ

Máximo Temperatura de unión del IGBT

150

°C

TJOP

Temperatura máxima de unión de funcionamientotura Rango

-40 hasta +150

°C

Tstg

Temperatura de almacenamiento Rango

-40 hasta +125

°C

VRRM

Pico Tensión inversa máxima PrelimDatos preliminares

1700

V

IF

Diodo continuo Corriente directa

TC = 25°C

1200

A

TC = 100°C

600

IFM

Diodo Máximo Corriente directa

1200

A

Parámetro

Condiciones de prueba

Mín.

Típ.

Máx.

Unidad

BVCES

Colector a Ruptura emisorTensión

VGE  = 0V, IC = 1 mA

1700

V

ICES

Colector a Emisor Corriente de fuga

VGE = 0 V, VCE= VCES

5

mA

IGES

Puerta a fuga del emisor Corriente

VGE = ±30 V, VCE   = 0 V

400

nA

VGE(th)

Tensión umbral de puertage

IC = 1 mA, VCE= VGE

4.5

5.7

V

VCE(sat)

Colector  a  Emisor  Saturación Tensión (módulo nivel)

IC = 600 A, VGE  = 15 V

TJ= 25°C

3.00

3.20

V

TJ= 125 °C

3.60