Diodo Schottky de barrera SBD de alta capacidad de corriente de 2,0 A
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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Diodo Schottky de barrera SBD de alta capacidad de corriente de 2,0 A
YZPST-SB220 THRU SB2200
CARACTERÍSTICAS
Baja caída de tensión directa
Alta capacidad de corriente
Alta fiabilidad
Alta capacidad de corriente de sobretensión
Construcción epitaxial
DATOS MECÁNICOS
Caja: plástico moldeado
Epoxi: retardante de llama con clasificación UL 94V-0
Terminales: axiales, soldables según MIL-STD-202, método 208 garantizado
Polaridad: la banda de color indica el cátodo
Posición de montaje: cualquiera
Peso: 0,34 gramos
Hay productos tanto normales como sin Pb disponibles:
Normal: 80~95 % Sn, 5~20 % Pb
Sin Pb: 99 % de Sn o más puede cumplir con los requisitos de la directiva RoHS sobre sustancias peligrosas en el medio ambiente
RANGO DE TENSIÓN
De 20 a 200 voltios
CORRIENTE
2,0 amperios
VALORES MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Valores nominales a temperatura ambiente de 25 °C, salvo indicación contraria. Media onda monofásica, 60 Hz, carga resistiva o inductiva.
Para carga capacitiva, reduzca la corriente en un 20%.
NÚMERO DE TIPO | SB220 | SB240 | SB260 | SB280 | SB2100 | SB2150 | SB2200 | UNIDADES |
Tensión inversa de pico recurrente máxima | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | V |
Tensión RMS máxima | 14 | 28 | 42 | 56 | 70 | 105 | 140 | V |
Tensión máxima de bloqueo en CC | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | V |
Corriente rectificada media directa máxima Véase la figura 1 |
2.0 |
A | ||||||
Corriente de sobrecarga de pico directa, semionda única de 8,3 ms superpuesta a la carga nominal (método JEDEC) |
50 |
A | ||||||
Tensión directa instantánea máxima a 2,0 A | 0.55 | 0.70 | 0.85 | V | ||||
CC máxima Recuperación inversa Corriente Ta=25 C a CC nominal Bloqueo Voltaje Ta=100 C | 0.5 20 | mA mA | ||||||
Capacitancia típica de la unión (nota 1) | 170 | pF | ||||||
Resistencia térmica típica RqJA (nota 2) | 35 | C/W | ||||||
Rango de temperatura de funcionamiento TJ | -65 +125 | -65 +150 | C | |||||
Rango de temperatura de almacenamiento TSTG | -65 +150 | C | ||||||
NOTAS:
1. Medido a 1 MHz y con una tensión inversa aplicada de 4,0 V c.c.
2. Resistencia térmica unión-ambiente con montaje en placa de circuito impreso vertical, longitud de terminal de 0,5" (12,7 mm).
Para obtener más información sobreYZPST-SB2100descargue el archivo PDF anterior llamado " YZPST-SB220 THRU SB2200 "
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