YZPST-FF600R17ME4 (600B170E53)
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
P/N:YZPST-600B170E53 (YZPST-FF600R17ME4)
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de servoaccionamiento CA y CC
UPS (sistemas de alimentación ininterrumpida)
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología IGBT SPT+
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluye diodo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10 us)
Estructura del módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Valores nominales máximos absolutos
Parámetro |
Símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, IC =1 mA, Tvj=25℃ | 1700 | V |
Corriente continua de colector | IC | Tc100℃ | 600 | A |
Pico de colector Corriente | ICRM | ICRM =2IC | 1200 | A |
Tensión puerta-emisor | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Total Potencia Disipación (IGBT-inversor) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 4286 | W |
Características del IGBT
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Tensión umbral puerta-emisor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =24 mA, Tvj=25℃ | 5.4 | 6.2 | 7.4 | V |
| Corriente de corte colector-emisor-off Current | ICES | VCE1700V,VGE0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||
| Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 2.4 | 2.75 | V | |||
| Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2.8 | V | ||||
| Colector-emisor Tensión de saturación | VCE(sat) | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=150℃ | 2.9 | V | ||
| Capacitancia de entrada | Cies | 40 | nF | |||
| Capacitancia de salida | Coes | 2.09 | nF | |||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | VCE=25V,VGE =0 V, f=1MHz, Tvj=25℃ | 1.44 | nF | ||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 180 | ns | |||
| Tiempo de subida | tr | 100 | ns | |||
| Tiempo de retardo de apagado | td(off) | 300 | ns | |||
| Tiempo de caída | tf | IC =600 A | 100 | ns | ||
| Energía Disipación Durante el encendido Tiempo | Eon | VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=25℃ | 150 | mJ | ||
| Energía Disipación Durante el apagadoapagado Tiempo | Eapagado | 100 | mJ | |||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 190 | ns | |||
| Tiempo de subida | tr | 110 | ns | |||
| Tiempo de retardo de apagado | td(off) | 350 | ns | |||
| Tiempo de caída | tf | IC =600 A | 150 | ns | ||
| Energía Disipación Durante el encendido Tiempo | Eon | VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=125℃ | 225 | mJ | ||
| Energía Disipación Durante el apagadoapagado Tiempo | Eapagado | 160 | mJ | |||
Encapsulado Dimensiones
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
