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YZPST-CL08-12T
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Diodo de alta tensión CL08-12
- 1. Especificaciones principales
No. | Seem | Symbol | Unit | Rating | Conditions |
1 | Tensión inversa de pico repetitiva | VRRM | kV | 12 |
|
2 | Corriente directa media | IF (AV) | mA | 350 | Tamb=60 ℃ Onda senoidal de media onda a 50 Hz Valor medio de rectificación |
3 | Corriente de sobrecarga directa | IFSM | A | 15 | Tamb=25 ℃ Onda senoidal de media onda a 50 Hz, impulso único |
4 | Corriente de sobrecarga inversa | IRSM | A | 0.2 | Ancho de pulso de 1 ms, pulso único de onda triangular |
5 | Temperatura máxima de unión= | Tjmax | ℃ | 130 |
|
6 | Temperatura de almacenamiento | Tstg | ℃ | -40~+130 |
2. Especificaciones eléctricas
No. | Seem | Symbol | Unit | Rating | Test conditions |
1 | Caída de tensión directa | VFM | V | 18.5 máx. | IF(AV)=350 mA |
2 | Corriente inversa a temperatura normal | IRM1 | A | 5 máx. | VRM=12KV |
3 | Corriente inversa a alta temperatura | IRM2 | A | 50 máx. | Tamb=100℃ VRM=12KV |
4 | Tensión de ruptura inversa | VZ | kV | 12~18 | IR=100uA |
5 | Tiempo de recuperación inversa | trr | nS | 80 máx. | IF=IR=100mA, 90% |
(Tamb=25 oC, salvo que se especifique lo contrario)
- Aplicación
Para rectificación de alta tensión en hornos de microondas;
Otros campos de rectificación electrónica
4. Dimensiones (en mm)
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
