YZPST-300HF120TK-G2

YZPST-300HF120TK-G2

Módulo IGBT de 300 A y 1200 V

CARACTERÍSTICAS
Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito autorlimitada
CHIP IGBT (tecnología Trench + Field Stop)
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Conmutación rápida y corriente de cola corta, bajas pérdidas de conmutación
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
Sensor de temperatura incluido
APLICACIONES
Aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Aplicaciones médicas
Control de movimiento/servo
Sistemas UPS

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES TC=25°C salvo indicación contraria especifique

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Valores	Unidad
IGBT
VCES	Tensión colector-emisor	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tensión puerta-emisor		±30	V
IC	Corriente continua de colector	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
ICM	Corriente de colector de pico repetitiva	tp=1 ms	600	A
Ptot	Disipación de potencia por IGBT		2083	W
Diodo
VRRM	Tensión inversa repetitiva	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Corriente media directa	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
IFRM	Corriente directa de pico repetitiva	tp=1 ms	600	A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TÉRMICASTC=25°C salvo que se especifique lo contrario

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba			Mín.	Típ.	Máx.	Unidad
IGBT
VGE(th)	Puerta - Emisor Umbral Voltaje	VCE=VGE, IC=2,0 mA			5.0		6.8	V
VCE(sat)	Colector - Emisor	IC=300 A, VGE=15V, TVj=25°C				2.2	2.6	V
	Tensión de saturación	IC=300 A, VGE=15V, TVj=125°C				2.65		V
ICES	Corriente de fuga del colector	VCE=1250 V, VGE0V, TVj=25°C					1	mA
		VCE=1250 V, VGE0V, TVj=125°C					5	mA
Rgint	Resistencia de puerta integrada	Por interruptor				5		Ω
IGES	Corriente de fuga de compuerta	VCE=0V, VGE±15V, TVj=125°C			-500		500	nA
Cies	Capacitancia de entrada	VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz				21.3		nF
Cres	Capacitancia de transferencia inversa					1.42		nF
td(on)	Tiempo de retardo de encendido	VCC=600V, IC=300 A,		TVj=25°C		393		ns
		RG=3.3Ω,		TVj=125°C		395		ns
tr	Tiempo de subida	VGE=±15 V,		TVj=25°C		130		ns
		Carga inductiva		TVj=125°C		135		ns
td(off)	Tiempo de retardo de apagado	VCC=600V, IC=300 A,		TVj=25°C		570		ns
		RG=3.3Ω,		TVj=125°C		600		ns
tf	Tiempo de caída	VGE=±15 V,		TVj=25°C		145		ns
		Carga inductiva		TVj=125°C		155		ns
Eon	Energía de encendido	VCC=600V, IC=300 A,		TVj=25°C		7.7		mJ
		RG=3.3Ω,		TVj=125°C		14.5		mJ
Eapagado	Energía de apagado	VGE=±15 V,		TVj=25°C		26.3		mJ
		Carga inductiva		TVj=125°C		33.5		mJ
ISC	Corriente de cortocircuito	tpsc≤10µS , VGE=15V TVj=125°C, VCC=900V				2100		A
RthJC	Resistencia térmica de unión a encapsulado(por IGBT)						0.07	K /W
Diodo
VF	Tensión directa	IF=300A , VGE0V, TVj=25°C				1.82	2.25	V
		IF=300A , VGE0V, TVj=125°C				2.0		V
Qrr	Carga inversa	IF=300A , VR=600 V				40		uC
IRRM	Corriente máxima de recuperación inversa	diF/dt=-2360A/μs				250		A
Erec	Energía de recuperación inversa	TVj=125°C				18.5		mJ
RthJCD	Resistencia térmica de unión a encapsulado		(por diodo)				0.12	K /W

CONTORNO DEL PAQUETE

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