YZPST-FR1000AX50
Características:
- Toda Estructura Difusa
- Configuración de Puerta Amplificadora Interdigitada
- Capacidad de bloqueo de hasta 2500 voltios
- Tiempo Máximo de Apagado Garantizado
- Alta capacidad de dV/dt
- Dispositivo Ensamblado de Presión
Bloqueo - Estado de apagado
|
Tipo de dispositivo |
VDRM (1) |
VDSM (1) |
|
FR1000AX50 |
2500 |
2500 |
|
Fuga de estado de pico repetitiva |
IDRM
|
20 mA
80mA (3)
|
|
Tasa crítica de aumento de voltaje |
dV/dt (4) |
700 V/msec |
Realización - en estado
| Parámetro |
Símbolo |
|
Máx. |
Typ. |
Unidades |
Condiciones |
|
Valor eficaz de la corriente en estado activo |
ITRMS |
|
1550 |
|
Un |
Valor nominal |
|
IT(AV) |
1000
|
|
Un |
Conducción de 180° continua de onda sinusoidal única de fase única, media |
||
|
Pico de una sobretensión de ciclo
(no repetitivo) actual
|
ITSM |
|
14000 |
|
Un |
8.3 msec (60Hz), onda sinusoidal-
forma, conducción de 180o, Tj = 125 oC
|
|
Yo cuadrado t |
I2t |
|
8.2.x105 |
|
A2s |
8.3 msec y 10.0 msec |
|
Corriente inversa de RNS |
IR(RMS) |
|
630 |
|
Un |
|
|
Corriente inversa promedio |
IR(AV) |
|
400 |
|
Un |
Conducción de 180° continua de onda sinusoidal única de fase única, media |
|
Pico de voltaje en estado de encendido |
VTM |
|
2.2 |
|
V |
ITM=1000A Tj = 125 oC |
|
Pico de voltaje inverso |
VRM |
|
4.0 |
|
V |
IRM=1200A, Tj = 125 oC |
|
Tasa crítica de aumento del estado activo
actual
|
di/dt |
|
300 |
|
A/ms |
VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125℃ |
|
Tasa crítica de disminución de la corriente de conmutación inversa |
(di/dt)C |
|
200 |
|
A/ms |
ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125℃,Reactor saturable 7500v.us |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES (cont.)
Gating
| Parámetro |
Símbolo |
Min. |
Máx. |
Typ. |
Unidades |
Condiciones |
|
Disipación máxima de potencia en la compuerta |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Disipación promedio de potencia en la compuerta |
PG(AV) |
|
8 |
|
W |
|
|
Corriente pico de puerta |
IGM |
|
10 |
|
Un |
|
|
Corriente de puerta requerida para activar todas las unidades |
IGT |
|
350 |
|
mA |
VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC |
|
Voltaje de compuerta necesario para activar todas las unidades
|
VGT |
|
4
|
|
V |
VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC |
|
Pico de voltaje no disparador |
VGD |
|
0.2 |
|
V |
Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM |
Dinámico
| Parámetro |
Símbolo |
Máx. |
Typ. |
Unidades |
Condiciones |
|
|
tq |
|
50
|
|
ms |
ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms;
di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V
Tj = 125 oC;tw=60us
|
* Para un valor máximo garantizado, póngase en contacto con la fábrica.
CARACTERÍSTICAS Y CALIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS
|
Parámetro |
Símbolo |
Min. |
Máx. |
Typ. |
Unidades |
Condiciones |
|
Temperatura de funcionamiento |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
|
Temperatura de almacenamiento |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Resistencia térmica de la parte del tiristor - unión a aleta |
RQI (j-f) |
|
0.022 |
|
oC/W |
Doble cara enfriada |
|
Resistencia térmica de la parte del diodo - unión a aleta |
RQ₂ (j-f) |
|
0.070 |
|
oC/W |
Doble cara enfriada |
|
Fuerza de montaje |
P |
|
45 |
|
kN |
|
|
Peso |
W |
|
670 |
|
g |
|
* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas
ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL ESTUCHE.
FR1000AX50 Tiristor de conducción inversa
YZPST puede proporcionar la siguiente lista equivalente de tiristores de conducción inversa (Tipos de cápsulas)
| Tipo | SI(AV) | VRR M |
IFSM
@TVJM
&10ms
|
IRRM (max) &Tj= TVJM | VTM(max) | trr(max) | Tvj | Rthjc | Fútbol 10% | |
| A | V | KA | IFM(A) | V | 5s | V | 0C | K/W | KN | |
|
SHR400R22(21)
(CSR328)
|
240 | 1300 | 5600 | 40 | 500 | 2.3 | 3 | 125 | 0.08 | 16 |
|
FR600AW
(AX)
|
150 | 2500 | 3500 | 50 | 1200 | 4 | 3 | 125 | 0.03 | 26 |
| FR1000BX(BW) | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1200 | 4 | 4 | 125 | 0.022 | 40 |
| TP909FC | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.02 | 33 |
| TP978FC | 400 | 2400 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.021 | 33 |