Características:
- Estructura totalmente difundida
- Configuración de compuerta amplificadora interdigitada
- Capacidad de bloqueo de hasta 2500 voltios
- Tiempo máximo de apagado garantizado
- Alta capacidad dV/dt
- Dispositivo ensamblado por presión
IMAGEN DEL PRODUCTO01 / GALERÍA
COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-FR1000AX50
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Teléfono+86 138 0527 8321
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
CENTRO DE DOCUMENTACIÓN
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CARACTERÍSTICAS Y VALORES ELÉCTRICOS
Bloqueo - estado de apagado
Bloqueo - estado de apagado
Tipo de dispositivo | VDRM (1) | VDSM (1) |
FR1000AX50 | 2500 | 2500 |
VDRM = tensión pico repetitiva en estado de apagado
Fuga pico repetitiva en estado de apagado | IDRM | 20 mA 80 mA (3) |
Velocidad crítica de subida de tensión | dV/dt (4) | 700 V/msec |
Conducción - estado de encendido
| Parámetro | Símbolo | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones | |
Valor eficaz de la corriente en estado de conducción | ITRMS | 1550 | A | Valor nominal | ||
IT(AV) |
1000
| A | Continua monofásica, onda senoidal semiciclo, conducción de 180° | |||
Pico de sobretensión de un ciclo (no repetitiva) corriente | ITSM | 14000 | A | 8,3 ms (60 Hz), forma de onda senoidal- de onda, conducción de 180°, Tj = 125 °C | ||
I²t | I²t | 8.2.x105 | A²s | 8,3 ms y 10,0 ms | ||
corriente inversa RNS | IR(RMS) | 630 | A | |||
Corriente inversa media | IR(AV) | 400 | A | Continua monofásica, onda senoidal semiciclo, conducción de 180° | ||
Tensión pico en estado de conducción | VTM | 2.2 | V | ITM=1000 A Tj = 125 °C | ||
Tensión inversa pico | VRM | 4.0 | V | IRM=1200 A, Tj = 125 °C | ||
Tasa crítica de aumento de la conducción en estado de la corriente | di/dt | 300 | A/ms | VD=1/2VDRM, ITM=800 A f=60 Hz IGM=1.5 A, diG/dt=1.0 A/us, Tj=125℃ | ||
Tasa crítica de disminución de la corriente inversa de conmutación | (di/dt)C | 200 | A/ms | ITM=4000 A, tw=60 us, IRM=4000 A, dv/dt=700 V/us, VDM=1/2 VDRN, Tj=125℃, reactor saturable 7500 V.us |
CARACTERÍSTICAS Y VALORES ELÉCTRICOS (cont.)
Disparo
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Disipación de potencia máxima de compuerta | PGM | 30 | W | tp = 40 us | ||
Disipación de potencia media de compuerta | PG(AV) | 8 | W | |||
Corriente pico de compuerta | IGM | 10 | A | |||
Corriente de compuerta necesaria para disparar todas las unidades | IGT | 350 | mA | VD = 6 V;RL = 2 ohmios;Tj = +25 °C | ||
Tensión de compuerta necesaria para disparar todas las unidades | VGT | 4 | V | VD = 6 V;RL = 2 ohmios;Tj = 25 °C | ||
Tensión de no disparo en pico | VGD | 0.2 | V | Tj = 125 °C;VD=1/2VDRM |
Dinámico
| Parámetro | Símbolo | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones | |
tq | 50 | ms | ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms; di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V Tj = 125 °C;tw=60us |
* Para el valor máximo garantizado, consulte a fábrica.
CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS
Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidades | Condiciones |
Temperatura de funcionamiento | Tj | -40 | +125 | °C | ||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | +150 | °C | ||
Resistencia térmica de la parte del tiristor: unión a aleta | RQⅠ (j-f) | 0.022 | °C/W | Refrigeración por ambas caras | ||
Resistencia térmica de la parte del diodo: unión a aleta | RQⅢ (j-f) | 0.070 | °C/W | Refrigeración por ambas caras | ||
Fuerza de montaje | P | 45 | kN | |||
Peso | W | 670 | g |
* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas
ESQUEMA DEL ENVOLVENTE Y DIMENSIONES.
FR1000AX50 Tiristor de conducción inversa
YZPST puede proporcionar la siguiente lista de equivalentes de tiristores de conducción inversa(Tipos cápsula)
| Tipo | IF(AV) | VRR M | IFSM @TVJM &10 ms | IRRM (máx.) &Tj= TVJM | VTM(max) | trr (máx.) | Tvj | Rthjc | F±10% | |
| A | V | KA | IFM(A) | V | µs | V | °C | K/W | kN | |
SHR400R22(21) (CSR328) | 240 | 1300 | 5600 | 40 | 500 | 2.3 | 3 | 125 | 0.08 | 16 |
FR600AW (AX) | 150 | 2500 | 3500 | 50 | 1200 | 4 | 3 | 125 | 0.03 | 26 |
| FR1000BX(BW) | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1200 | 4 | 4 | 125 | 0.022 | 40 |
| TP909FC | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.02 | 33 |
| TP978FC | 400 | 2400 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.021 | 33 |
Para obtener más información sobre el tiristor de conducción inversa, descargue el archivo PDF arriba titulado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"
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