



MOSFET de potencia de canal N 65R72GF como reemplazo de STW48N60M2
El resumen del producto y la información técnica principal se cargarán desde la base de datos de productos.
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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MOSFET de potencia de canal N
Tipo: YZPST-65R72GF
| RESUMEN DEL PRODUCTO | |
| Vds (V) a Tj máx. | 700 |
| Rds(ofi)máx. a 25°C (mQ) | Vgs=10V 72 |
| Qg máx. (nC) | 130 |
| Qgs (nC) | 30 |
| Qgd (nC) | 34 |
| Configuración | simple |
Características
MOSFET con diodo corporal rápido
|D=47A(Vgs=10V)
Carga de puerta ultrabaja
Capacidad dv/dt mejorada
Cumple con RoHS
Aplicaciones
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones
Soldadura y cargadores de baterías
Solar (inversores fotovoltaicos)
Circuitos puente AC/DC
| INFORMACIÓN PARA PEDIDOS | |
| Dispositivo | YZPST-65R72GF |
| Encapsulado del dispositivo | TO-247 |
| Marcado | 65R72GF |
| CLASIFICACIONES ABSOLUTAS MÁXIMAS (Tc=25o°C, salvo indicación en contrario) | |||
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Tensión drenador-fuente | Vdss | 650 | V |
| Corriente continua de drenador (@Tc=25°C) | Id | 47⑴ | A |
| Corriente continua de drenador (@Tc=100°C) | 29⑴ | A | |
| Corriente de drenador en pulso(2) | Idm | 138⑴ | A |
| Tensión puerta-fuente | Vgs | ±30 | V |
| Energía de avalancha de pulso único(3) | EAS | 1500 | mJ |
| Robustez dv/dt del MOSFET (@VHoja de datos=0~400V) | dv/dt | 25 | V/ns |
| dv/dt pico de recuperación del diodo ⑷ | dv/dt | 15 | V/ns |
| Disipación total de potencia (@Tc=25°C) | Pd | 417 | W |
| Factor de desclasificación por encima de 25°C | 3.34 | W/°C | |
| Temperatura de unión de operación y temperatura de almacenamiento | Tstg, Tj | -55 a +150 | °C |
| Temperatura máxima de los terminales para soldadura | Tl | 260 | °C |
Notas
1. La corriente de drenaje está limitada por la temperatura máxima de unión.
2. Clasificación repetitiva: el ancho de pulso está limitado por la temperatura de unión.
3 L = 37mH, lAS= 9A, VDD= 50V, RG=25Q, comenzando en Tj = 25°C
4. ISD< lD, di/dt = WOA/us, VDD< BVDSS, comenzando en Tj =25°C
Para obtener más información sobreYZPST-65R72GFdescargue el archivo PDF anterior llamado "YZPST-65R72GF"
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