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YZPST-BTA30-600V
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
TRIAC de 30 A 600 V YZPST-BTA30-600V
DESCRIPCIÓN:
La serie de triacs BTA30 es adecuada para todo tipo de
aplicaciones de control, como control de motores, iluminación
industrial y doméstica, calefacción y
conmutación estática, controladores de velocidad de motor, … Gracias a
su técnica de ensamblaje con clip, ofrecen un rendimiento
superior en capacidad de manejo de corriente de pico
Mediante el uso de una pastilla cerámica interna, la serie BTA
ofrece una patilla aislada de tensión (clasificada para 2500 VRMS)
cumpliendo con las normas UL.
VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
rango de temperatura de almacenamiento de la unión | Tstg | -40 ~175 | ℃ |
Rango de temperatura de unión de funcionamiento | Tj | -40~150 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (T =25℃) | VDRM | 600 | V |
Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃) | VRRM | 600 | V |
Tensión máxima de apagado en sobretensión no repetitiva | VDSM | VDRM +100 | V |
Tensión inversa máxima no repetitiva | VRSM | VRRM +100 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 30 | A |
Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 300 | A |
Valor de I2t para fusión (tp=10 ms) | I2t | 378 | A2S |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I =2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μS |
Corriente máxima de compuerta | IGM | 4 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
4 cuadrantes
| Símbolo | Condición de prueba | Cuadrante | Valor | Unidad | |
| IGT | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MÁX. | 20 | mA | |
| VGT | V = 12 V R = 33 Ω | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MÁX. | 1.3 | V |
| VGD | VD = VDRM Tj = 125 ℃ R = 3.3 KΩ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MÍN. | 0.2 | V |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ Ⅲ | MÁX. | 50 | mA |
| Ⅱ | |||||
| IH | IT=100mA | MÁX. | 40 | mA | |
| dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | MÍN. | 400 | V/μs | |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Parámetro | Valor (MÁX.) | Unidad | |
| VTM | ITM =4.5Atp=380μs | Tj =25℃ | 1.5 | V |
| IDRM | VD = VDRM VR = VRRM | Tj =25℃ | 5 | μA |
| IRRM | Tj =125℃ | 1 | mA | |
Datos mecánicos del encapsulado TO-3P
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
