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YZPST-S65R650
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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P/N:YZPST-S65R650
MOSFET S65R650
DESCRIPCIÓN:
El S65R650 es un MOSFET Superjunction diseñado para ofrecer mejores características, como baja resistencia en estado de conducción,
baja carga de compuerta, conmutación ultrarrápida y alta robustez. Estos dispositivos son muy adecuados para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
VHoja de datos | Tensión drenador-fuente | 650 | V | |
VGS | Tensión puerta-fuente | ±30 | V | |
ID |
Corriente continua de drenaje | Tc=25℃ | 8 | A |
Tc=100℃ | 6 | A | ||
IDM | Corriente de drenaje pulsada | 30 | A | |
Ptot | Disipación de potencia (TC=25°C) | 93 | W | |
Tj | Temperatura de unión | 150 | ℃ | |
Tstg | Temperatura de funcionamiento y almacenamientoeratura | -55 a +150 | ℃ | |
EAS | Avalancha Energía | 74 | mJ | |
ELÉCTRICAS CARACTERÍSTICAS (TC = 25°C, salvo que se especifique)
Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
Mín. | Tipo | Máx. | ||||
BVDSS | Tensión de ruptura drenaje-fuentede | VGS = 0V, ID= 250μA | 650 |
|
| V |
IDSS | Corriente de fuga drenaje-fuenterente | VDS =650V ,VGS=0V |
|
| 1 | uA |
IGSS | Fuga entre compuerta y fuente Corriente | VGS= ±30V |
|
| ±100 | nA |
VGS(th) | Tensión umbral de compuerta | VDS= VGS, ID= 250μA | 2.5 |
| 4.5 | V |
RHoja de datos(Encendido) | Conducción estática drenaje-fuente Resistencia | VGS= 10V ，ID = 4A |
| 503 | 650 | mΩ |
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
