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YZPST-D100H065AT1S3
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Trench IGBT con tecnología Field-Stop
YZPST-D100H065AT1S3
Características
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A
Temperatura máxima de unión 175
Terminales libres de plomo; conforme a RoHS
Aplicaciones
Convertidores solares
Sistema de alimentación ininterrumpida
Convertidores para soldadura
Convertidores de frecuencia de conmutación media a alta
Clave Rendimiento y Paquete Parámetros
Códigos de pedido | VCE | IC | VCEsat, Tvj=25 | Tvjmax | Marcado | Encapsulado |
D100H065AT1S3 | 650V | 100 A | 1.75V | 175 ℃ | D100H65AT1 | TO247-3L |
Máximo absoluto Clasificaciones
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCES | Tensión colector-emisor | 650 | V |
| VGES | Tensión puerta-emisor | ±20 | V |
| IC | Corriente continua de colector (TC=25 ℃) | 125 | A |
| Corriente continua de colector (TC=100 ℃) | 100 | A | |
| ICM | Corriente de colector pulsada (Nota 1) | 200 | A |
| Corriente directa del diodo (TC=25 ℃) | 125 | A | |
| IF | Corriente directa del diodo (TC=100 ℃) | 100 | A |
| Disipación máxima de potencia (TC=25 ℃) | 385 | W | |
| PD | Disipación máxima de potencia (TC=100 ℃) | 192 | W |
| TJ | Rango de temperatura de unión de funcionamiento | -40 a 175 | ℃ |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
Características eléctricas (Tc=25 salvo que se indique lo contrario.)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| BVCES | Colector-emisor | VGE=0V, IC=200uA | 650 | V | ||
| Tensión de ruptura | --- | --- | ||||
| ICES | Corriente de fuga colector-emisor | VCE=650V, VGE=0V | 1 | mA | ||
| --- | --- | |||||
| Corriente de fuga de puerta, directa | VGE=20V, VCE=0V | 600 | nA | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | Corriente de fuga de puerta, inversa | VGE=-20V, VCE=0V | 600 | nA | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | Tensión umbral de compuerta | VGE=VCE, IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | Colector-emisor | VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| Tensión de saturación | VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | Tiempo de retardo de activación | --- | 35 | --- | ns | |
| tr | Tiempo de subida en la activación | VCC=400V | --- | 155 | --- | ns |
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | VGE=±15V | --- | 188 | --- | ns |
| tf | Tiempo de caída al apagado | IC=100A | --- | 69 | --- | ns |
| Eon | Pérdida de conmutación en la activación | RG=8 | --- | 4.35 | --- | mJ |
| Eoff | Pérdida de conmutación al apagado | Carga inductiva | --- | 1.11 | --- | mJ |
| Ets | Pérdida total de conmutación | TC=25 ℃ | --- | 5.46 | --- | mJ |
| Cies | Capacitancia de entrada | VCE=25V | --- | 7435 | --- | pF |
| Coes | Capacitancia de salida | VGE=0V | --- | 237 | --- | pF |
| Cres | Transferencia inversa | f =1MHz | 128 | pF | ||
| Capacitancia | --- | --- |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| IF=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | Tensión directa del diodo | IF=100A, Tj=150 ℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa del diodo | 201 | ns | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| IF=100A | ||||||
| Irr | Pico inverso del diodo | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| Corriente de recuperación | TC=25 ℃ | --- | --- | |||
| Qrr | Carga de recuperación inversa del diodo | 2.45 | uC | |||
| --- | --- |
Nota 1: clasificación repetitiva; el ancho de pulso está limitado por la temperatura máxima de unión
Información del encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
