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YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)
El resumen del producto y la información técnica principal se cargarán desde la base de datos de productos.
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)\
MOSFET de SiC
Características
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Alta tensión de bloqueo con bajo RDS(on)
Fácil de conectar en paralelo
Fácil de excitar
Conforme a RoHS
Ventajas
Mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de operación
Reducción de los requisitos del disipador térmico
Mayor eficiencia
EMI reducida
Aplicaciones
Módulos de corrección del factor de potencia
Fuentes de alimentación conmutadas
Inversores CC-CA
Convertidores CC/CC de alta tensión

Máximo valores nominales (Tj=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Valor | Unidad |
VHoja de datos | Tensión drenador-fuente |
| 1200 | V |
ID | Continuo Corriente de drenaje | Tc=25°C Tc=100°C | 74 52 | A |
IDM | repetitivo Corriente de drenaje | Ancho de pulso tp limitado por Tjmax | 150 | A |
VGSmax | Tensión puerta-fuente |
| -8/+22 | V |
VGSop | Tensión recomendada puerta-fuente |
| -4/+ 18 | V |
Ptot | Potencia Disipación | Tc=25°C Tc=100°C | 312 156 | W |
Tj | Temperatura de unión en funcionamientoratura |
| -40~175 | °C |
Tstg | Temperatura de almacenamiento |
| -40~175 | °C |
Características eléctricas
Características estáticas
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Valor | Unidad | ||
Mín.. | Típ.. | Máx.. | ||||
V(BR)DSS | Drenador-fuente Tensión de ruptura | ID=100μA, VGS=0V | 1200 |
|
| V |
IDSS | Tensión de puerta cero Corriente de drenadornte | VHoja de datos=1200V, VGS=0V |
| 1 |
| μA |
IGSS | Compuerta-Fuente Corriente de fuga | VHoja de datos=0 V, VGS=18 V |
|
| 250 | nA |
VGS(th) |
Tensión umbral de compuerta | VHoja de datos=VGS, ID=10 mA Tj=25°C Tj=175 °C |
2 |
2.6 2.0 |
4 |
V |
RDS(on) |
Estado de conducción drenaje-fuente Resistencia | VGS=18 V, ID=40 A Tj=25°C Tj=175 °C |
|
37 47 |
|
mΩ |
Esquemas del encapsulado

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