.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-G100HF65D1
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo IGBT de 650 V y 100 A YZPST-G100HF65D1
Características：
650 V, 100 A, VCE(sat) (típ.) = 1.80 V
Diseño de baja inductancia
Menores pérdidas y mayor eficiencia energética
Tecnología IGBT Field Stop
Excelente robustez frente a cortocircuitos
Aplicaciones generales：
Inversor auxiliar
Calentamiento por inducción y soldadura
Aplicaciones solares
Sistemas UPS
Valores máximos absolutos del IGBT
| VCES | Tensión colector-emisor | 650 | V | |
| VGES | Tensión continua entre puerta y emisor | ±30 | V | |
| TC = 25 °C | 200 | |||
| IC | Corriente continua de colector | TC = 100 °C | 100 | A |
| ICM | Corriente de colector de pulso | TJ = 150 °C | 200 | A |
| PD | Disipación máxima de potencia (IGBT) | TC = 25°C, | 390 | W |
| TJ = 150 °C | ||||
| tsc | Tiempo de soportar cortocircuito | > 10 | µs | |
| TJ | Temperatura máxima de unión del IGBT | 150 | °C | |
| TJOP | Rango máximo de temperatura de unión de operación | -40 a +150 | °C | |
| Tstg | Rango de temperatura de almacenamiento | -40 a +125 | °C | |
Absoluto Máximo Valores nominales de librelibre Diodo
| VRRM | Tensión inversa de pico repetitiva Datos preliminares | 650 | V | |
| Corriente directa continua del diodo | TC = 25 °C | 200 | ||
| IF | Corriente directa continua del diodo | TC = 100 °C | 100 | A |
| IFM | Corriente directa máxima del diodo | 200 | A | |
Eléctricas Características de IGBT a TJ = 25°C (Salvo que se especifique lo contrario)
| Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | ||
| BVCES | Tensión de ruptura colector-emisor | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | V | |||
| ICES | Colector-emisor | VGE = 0V, VCE = VCES | 1 | mA | |||
| Corriente de fuga | |||||||
| IGES | Corriente de fuga de puerta a emisor | VGE = ±30V, VCE = 0V | 200 | nA | |||
| VGE(th) | Tensión umbral de compuerta | IC = 1mA, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25°C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Tensión de saturación colector-emisor (nivel de módulo) | IC = 100A, VGE = 15V | TJ = 125°C | 2 | V | ||
Características de conmutación del IGBT
| td(on) | Tiempo de retardo de activación | TJ = 25°C | 60 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida en la activación | TJ = 25°C | 55 | ns | |||
| td(off) | Tiempo de retardo de apagado | VCC = 400V | TJ = 25°C | 210 | ns | ||
| tf | Tiempo de caída en la desactivación | IC = 100A | TJ = 25°C | 65 | ns | ||
| Eon | Pérdida de conmutación en la activación | RG = 10Ω | TJ = 25°C | 1.2 | mJ | ||
| Eoff | Pérdida de conmutación en la desactivación | VGE = ±15V | TJ = 25°C | 1 | mJ | ||
| Qg | Carga total de compuerta | Carga inductiva | TJ = 25°C | 500 | nC | ||
| Rgint | Resistencia de puerta integrada | f = 1M; | TJ = 25°C | 6.9 | Ω | ||
| Vpp = 1 V | |||||||
| Cies | Capacitancia de entrada | TJ = 25°C | 3.9 | ||||
| VCE = 25 V | |||||||
| Coes | Capacitancia de salida | VGE = 0 V | TJ = 25°C | 0.35 | nF | ||
| Cres | Transferencia inversa | f = 1 MHz | TJ = 25°C | 0.25 | |||
| Capacitancia | |||||||
| RθJC | Resistencia térmica, unión a carcasa (IGBT) | 0.32 | °C/W | ||||
Características eléctricas y de conmutacióndel diodo de rueda libre Diodo
| VF | TJ = 25°C | 1.35 | |||||
| Tensión directa del diodo | IF = 100 A, | V | |||||
| VGE = 0 V | TJ = 125 °C | 1.2 | |||||
| trr | Tiempo de recuperación inversa del diodo | IF = 100 A, | TJ = 25°C | 80 | ns | ||
| Irr | Corriente inversa máxima de recuperación del diodo | di/dt = 550 A/µs, Vrr = 400 V, | TJ = 25°C | 30 | A | ||
| Qrr | Carga de recuperación inversa del diodo | TJ = 25°C | 6.2 | uC | |||
| RθJC | Resistencia térmica, unión a carcasa (diodo) | 0.75 | °C/W | ||||
Características del módulo
Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
Viso | Tensión de aislamiento (todos los terminales en cortocircuito), f = 50 Hz, 1 minuto | 2500 |
|
| V |
RθCS | Carcasa a disipador (con grasa conductiva aplicada) |
| 0.1 |
| °C/W |
M | Terminales de potencia con tornillo: M5 | 3.0 |
| 5.0 | N·m |
M | Tornillo de montaje: M6 | 4.0 |
| 6.0 | N·m |
G | Peso |
| 160 |
| g |
Circuito interno:
Dimensiones del encapsulado
.jpg)
.jpg)
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
