YZPST-G300HF120TK-G3

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Valores

Unidad

IGBT

VCES

Tensión colector-emisor

TVj=25°C

1250

V

VGES

Tensión puerta-emisor

±30

V

IC

Corriente continua de colector

TC=25°C

450

A

TC=80°C

300

A

ICM

Corriente máxima repetitiva de colector

tp=1ms

600

A

Ptot

Disipación de potencia por IGBT

3000

W

Diodo

VRRM

Tensión inversa repetitiva

TVj=25°C

1250

V

IF(AV)

Corriente media en directa

TC=25°C

450

A

TC=80°C

300

A

IFRM

Corriente directa máxima repetitiva

tp=1ms

600

A

I2t

TVj =125°C, t=10ms, VR=0V

19000

A2s

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Mín.

Típ.

Máx.

Unidad

IGBT

VGE(th)

Tensión umbral puerta-emisor

VCE=VGE, IC=2,0mA

5.0

6.8

V

VCE(sat)

Colector-emisor

IC=300A, VGE=15V, TVj=25°C

2.2

2.6

V

Tensión de saturación

IC=300A, VGE=15V, TVj=125°C

2.4

V

ICES

Corriente de fuga de colector

VCE=1250V, VGE=0V, TVj=25°C

1

mA

VCE=1250V, VGE=0V, TVj=125°C

5

mA

Rgint

Resistencia de puerta integrada

Por interruptor

10

Ω

IGES

Corriente de fuga de puerta

VCE=0 V, VGE±15 V, TVj=125 °C

-500

500

nA

Cies

Capacitancia de entrada

VCE=25 V, VGE=0 V, f =1 MHz

21

nF

Cres

Capacitancia de transferencia inversa

1.5

nF

td(on)

Tiempo de retardo de encendido

VCC=600 V, IC=300 A,

TVj =25 °C

90

ns

RG =4.7 Ω,

TVj =125 °C

110

ns

tr

Tiempo de subida

VGE=±15 V,

TVj =25 °C

55

ns

Carga inductiva

TVj =125 °C

60

ns

td(off)

Tiempo de retardo de apagado

VCC=600 V, IC=300 A,

TVj =25 °C

460

ns

RG =4.7 Ω,

TVj =125 °C

500

ns

tf

Tiempo de caída

VGE=±15 V,

TVj =25 °C

55

ns

Carga inductiva

TVj =125 °C

60

ns

Eon

Energía de encendido

VCC=600 V, IC=300 A,

TVj =25 °C

28

mJ

RG =4.7 Ω,

TVj =125 °C

12

mJ

Eoff

Energía de apagado

VGE=±15 V,

TVj =25 °C

25

mJ

Carga inductiva

TVj =125 °C

13

mJ

ISC

Corriente de cortocircuito

1300

A

RthJC

Resistencia térmica unión-caja (por IGBT)

0.13

K/W

Diodo

VF

Tensión directa

IF=300 A, VGE=0 V, TVj =25 °C

2

2.4

V

IF=300A , VGE=0V, TVj =125°C

2.2

V

Qrr

Carga inversa

IF=300A , VR=600V

50

µC

IRRM

Corriente máxima de recuperación inversa

diF/dt=-2400A/μs

170

A

Erec

Energía de recuperación inversa

TVj =125 °C

20

mJ

RthJCD

Resistencia térmica unión-carcasa

(Por diodo)

0.12

K/W

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Mín.

Típ.

Máx.

Unidad

TVj max

Temperatura máxima de la unión

175

°C

TVj op

Temperatura de funcionamiento

-40

150

°C

Tstg

Temperatura de almacenamiento

-40

125

°C

Visol

Tensión de prueba de aislamiento

CA, t=1 min

3000

V

Par de apriete

Al disipador

Recomendado (M6)

1.1

2

N·m

Par de apriete

N·m

Peso

328

g