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COMPONENTE DE POTENCIA
YZPST-SK200GD066T
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Módulo IGBT
YZPST-SK200GD066T
Datos preliminares
Características
módulo de montaje con un tornillo
Totalmente compatible con 1,2,3
Rendimiento térmico mejorado gracias a un sustrato de óxido de aluminio
Tecnología IGBT de trinchera
Tecnología CAL FWD
Sensor de temperatura NTC integrado
Aplicaciones típicas*
Inversor de hasta 42 kVA
Típ.potencia del motor 18,5 kW
| Características Ta= 25 °C, salvo indicación en contrario | |||||
| Símbolo | |||||
| Condiciones | |||||
| mín. típ. máx. | |||||
| Unidades | |||||
| IGBT | |||||
| VGE(th) | VGE= VCE, IC= 3,2 mA | 5 5,8 6,5 | V | ||
| ICES | VGE= 0 V, VCE= VCES Tj= 25 °C | 0,01 | mA | ||
| Tj= 125 °C | mA | ||||
| IGES | VCE= 0 V, VGE= 20 V Tj= 25 °C | 1200 | nA | ||
| Tj= 125 °C | nA | ||||
| VCE0 | Tj= 25 °C | 0,6 1 | V | ||
| Tj= 150 °C | 0,7 0,8 | V | |||
| rCE | VGE= 15 V Tj= 25 °C | 2,75 4 | mΩ mΩ | ||
| Tj= 150 °C | 4,25 5,5 | ||||
| VCE(sat) | ICnom= 200 A, VGE= 15 V Tj= 25 °CchipIev. | 1,45 | 1,9 | V | |
| Tj= 150 °CchipIev. | 1,7 | 2,15 | V | ||
| Cies | VCE= 25, VGE= 0 V f = 1 MHz | 12,2 | nF | ||
| C | 0,76 | nF | |||
| oes | 0,36 | nF | |||
| C | |||||
| res | |||||
| td(on) | RGon= 16 Ω | VCC= 300V | 144 | ns ns mJ ns ns mJ | |
| t r | di/dt 1720 A/μs | IC200 A | 128 | ||
| E | Tj= 150 °C | 13,9 | |||
| on | VGE-7/+15 V | 1040 | |||
| 91 | |||||
| td(off) | RGoff= 16 Ω | 12 | |||
| tf | di/dt 2575 A/μs | ||||
| E | |||||
| Rth(j-s) | por IGBT | 0,45 | K/W | ||
| Absoluto Valores máximos Ta= 25 °C, salvo indicación en contrario | ||||||
| Símbolo | ||||||
| Condiciones | ||||||
| Valores | ||||||
| Unidades | ||||||
| IGBT | ||||||
| VCES | Tj= 25 °C | 600 | V | |||
| IC | Tj= 175 °C Ta= 25 °C | 174 | A | |||
| Ta= 70 °C | 131 | A | ||||
| ICRM | ICRM= 2 x ICnom | 400 | A | |||
| VGES | ± 20 | V | ||||
| t | VCC= 360 V; VGE≤ 20 V; Tj= 125 °C | 6 | μs | |||
| psc | VCES< 600 V | |||||
| Inversa Diodo | ||||||
| IF | Tj= 175 °C | T = 25 °Cs | 99 | A | ||
| T = 70 °Cs | 79 | A | ||||
| IFRM | IFRM= 2 x IFnom | 120 | A | |||
| Módulo | ||||||
| It(RMS) | A | |||||
| Tvj | -40 ... +175 | °C | ||||
| Tstg | -40 ... +125 | °C | ||||
| VisoI | AC, 1 min. | 2500 | V | |||
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
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