YZPST-130MT160K

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Valores

Unidad

VRRM

Máximo Pico de tensión inversa

1600

V

VRSM

Máximo No repetitivoe de tensión inversa

1700

V

ID

Promedio Corriente directa

TC=85(62)°C

130(160)

A

IFSM

No repetitivo        Sobretensión

Corriente directa

50 Hz/60 Hz

1130/1180

A

I2t

I2t (Para fusible)

50 Hz/60 Hz

6400/5800

A2s

VF(TO)1

Valor bajo de   umbralvoltaje

16,7%* π*IF(AV) < I <   π *IF(AV),TCJ= 150 °C

0.78

V

VF(TO)2

Valor alto de   umbralde tensión

I >  π*IF(AV),TCJ=150°C

0.99

V

rf1

Valor bajo de pendiente directa resistencia

16,7%* π*IF(AV) < I <   π *IF(AV),TCJ= 150 °C

4.59

m Ω

rf2

Valor alto de resistencia de pendiente directa

I >  π*IF(AV),TCJ=150°C

4.17

m Ω

VISO

Tensión de aislamiento @CA 1 s

50 Hz

3000

V

TJ

Temperatura de unión

-40 hasta +150

°C

TSTG

Temperatura de almacenamiento Rango

-40 hasta +150

°C

Md

Al disipador (M6)

4~6

N·m

A los terminales (M5)

3~4

N·m

RθJC

Resistencia térmica máxima, Unión a encapsulado

operación en CC por módulo

0.16

°C/W

Operación en CC por unión

0.93

120 。rect. Por módulo

0.18

120 。rect. Por unión

1.08

Rθcs

De la carcasa a disipador

Por módulo

0.03

Símbolo

Parámetro

Condiciones de prueba

Mín.

Típ.

Máx.

Unidad

IRRM

TC= 150 °C

10

mA

VFM

Tensión directa Caída

IF =200A, TJ=25°C

1.63

V