





YZPST-G15T60FS
El resumen del producto y la información técnica principal se cargarán desde la base de datos de productos.
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Características
600V,15A
VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=15A
Conmutación de alta velocidad de conmutación
Mayor eficiencia del sistema eficiencia
Apagado suave de la corriente formas de onda
Cuadrada RBSOA
Descripción general
YZPSTLos IGBT de trinchera YZPST ofrecen menores pérdidas y mayor eficiencia energética para aplicaciones como IH (calentamiento por inducción), UPS, inversores generales y otras aplicaciones de conmutación suave.

Valores nominales máximos absolutos
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
VCES | Tensión colector-emisor | 600 | V |
VGES | Tensión puerta-emisor | + 20 | V |
IC | Corriente continua de colector ( TC=25℃) | 14 | A |
Corriente continua de colector ( TC100℃) | 8 | A | |
ICM | Corriente pulsada de colector (Nota 1) | 45 | A |
IF | Corriente continua directa del diodo ( TC=100℃) | 8 | A |
IFM | Corriente máxima directa del diodo (Nota 1) | 45 | A |
tsc | Tiempo de soportar cortocircuito | 10 | us |
PD | Disipación máxima de potencia ( TC=25℃) | 28 | W |
Disipación máxima de potencia ( TC100℃) | 11 | W | |
TJ | Rango de temperatura de unión en funcionamiento | -55 a +150 | ℃ |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamiento | -55 a +150 | ℃ |
Características térmicas
Símbolo | Parámetro | Máx. | Unidades |
Rth j-c | Resistencia térmica, unión a encapsulado para IGBT | 4.4 | ℃/ W |
Rth j-c | Resistencia térmica, unión a encapsulado para diodo | 5.2 | ℃/ W |
Rth j-a | Resistencia térmica, unión a ambiente | 65 | ℃/ W |


Para obtener más información sobreYZPST-G15T60FSdescargue el archivo PDF anterior llamado "YZPST-G15T60FS"
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