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YZPST-230B170F62
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
Módulo de potencia All-SiC N.º de pieza: YZPST-230B170F62
VDS=1700 V RDS(on)=7,5 mΩ
Aplicaciones
Calentamiento por inducción
Inversores solares y eólicos
Convertidores CC/CA
Características
Pérdidas ultrabajas
Funcionamiento de alta frecuencia
Corriente de recuperación inversa nula del diodo
Corriente de cola de apagado nula del MOSFET
Funcionamiento normalmente apagado, a prueba de fallos
Facilidad de conexión en paralelo
Valores nominales máximos absolutos (TC =25℃ a menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | ||||
| Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad | |
| Tensión drenador-fuente | VDSmax | 1700 | V | |
| VGS=20 V, Tc=25 °C | 230 | |||
| Corriente continua de colector | ID | VGS=20 V, Tc=100 °C | 200 | A |
| Tensión puerta-fuente | VGSmáx | Valores máximos absolutos | -10 V/+25 V | V |
| Tensión puerta-fuente | VGSop | Valores de funcionamiento recomendados | -5 V/+20 V | V |
| Temperatura de unión y de almacenamiento en operación | TJ TSTG | -40~+155 | ℃ |
Eléctricas Características (TC =25℃ a menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Tensión umbral de puerta | VGSth | ID =108 mA | 2 | 2.6 | 4 | V |
| Corriente de drenaje con tensión de puerta cero | IDSS | VDS=1700 V, VGS=0 V | 6 | 600 | uA | |
| Corriente de fuga puerta-fuente | IGSS | VGS=20 V | 1500 | nA | ||
| VGS=20 V, IDS=230 A | 7.5 | 11.7 | ma | |||
| Resistencia en conducción | RDS(on) | VGS=20 V, IDS=230 A, Tvj=150 °C | 15 | ma | ||
| Capacitancia de entrada | Ciss | 21.3 | nF | |||
| Capacitancia de salida | Coss | VGS=0 V, VDS=1000 V, VAC=25 mV f=1 MHz | 0.99 | nF | ||
| Capacitancia de transferencia inversa | Crss | 0.04 | nF | |||
| Carga compuerta-fuente | QGS | 324 | nC | |||
| Carga compuerta-drenaje | QGD | VDS=1200V,VGS = +20V/-5V | 150 | nC | ||
| Carga total de compuerta | QG | ID =300 A | 1158 | nC | ||
| Tiempo de retardo de encendido | td(on) | 27 | ns | |||
| ID =180A | ||||||
| Tiempo de subida | tr | VDS =1200V | 32 | ns | ||
| Tiempo de retardo al apagado | td(off) | VGS = +20V/-5V | 36 | ns | ||
| Tiempo de bajada | tf | RG= 2.5a | 10 | ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | ID =180A | |||||
| Eon | VDS =1200V | 1.2 | mJ | |||
| VGS = +20V/-5V | ||||||
| RG= 2.5a | ||||||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | L=200uH | 2 | mJ | ||
| IF=300A | 1.6 | 1.9 | V | |||
| Tensión directa del diodo | VSD | IF=300A,Tvj=150℃ | 2.2 | 2.8 | V | |
Características del módulocs (TC =25℃ a menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | Valor | |||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | |
| Tensión de aislamiento de la carcasa | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Temperatura máxima de unión | Tjmax | 175 | ℃ | |||
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvj op | -40 | 150 | ℃ | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| Par de apriete de los electrodos del módulo | Mt | Recomendado (M6) | 3 | 6 | ||
| Par de apriete del módulo al disipador | Ms | Recomendado (M6) | 3 | 6 | Nm | |
| Peso del módulo | G | 300 | g | |||
Circuito Diagrama
Dimensiones del encapsulado
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
