YZPST-T1205
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
Símbolo | Valor | Unidad |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRMVRRM | 600 | V |
VTM | 1.55 | V |
VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Rango de temperatura de la unión de almacenamiento rango de temperatura | Tstg | -40 ~150 | ℃ |
Rango de temperatura de unión en funcionamiento | Tj | -40~125 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (T =25℃) | VDRM | 600 | V |
Tensión repetitiva de pico inversa (T =25℃) | VRRM | 600 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 12 | A |
Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 120 | A |
I2Valor t para fusión (tp=10 ms) | I2t | 78 | A2S |
Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I = 2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μS |
Corriente de pico de compuerta | IGM | 4 | A |
Disipación media de potencia de compuerta | PG(AV) | 1 | W |
Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
