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YZPST-30TPS12
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
30TPS12 Tiristores P/N:YZPST-30TPS12
30TPS12 de alta tensión SCR TO-247 de 30 A
DESCRIPCIÓN:
La serie 30TPS12 de rectificadores controlados de silicio de alta tensión está diseñada específicamente para aplicaciones de conmutación de media potencia y control de fase. La tecnología de pasivación de vidrio utilizada garantiza un funcionamiento fiable hasta una temperatura de unión de 125 °C. Las aplicaciones típicas son la rectificación de entrada (arranque suave), y estos productos están diseñados para usarse con diodos de entrada, conmutadores y rectificadores de salida, que están disponibles con el mismo contorno de encapsulado.
Símbolo
Símbolo | Valor |
IGT | ≤35 mA |
IT(RMS) | 30 A |
VRRM | 1200 V |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°C, salvo que se indique lo contrario)
Símbolo | PARÁMETRO | Valor | Unidad |
VDRM | Tensión máxima repetitiva de bloqueo en estado de apagado (Tj = 25°C) | 1200 | V |
VRRM | Tensión inversa máxima repetitiva de pico (Tj = 25°C) | 1200 | V |
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°) | 20 | A |
IT(RMS) | Corriente eficaz en estado de conducción (onda sinusoidal completa) | 30 | A |
ITSM | Corriente de pico no repetitiva de sobrecarga en estado de conducción (ángulo de conducción de 180°, F = 50 Hz, TC = 85°C) | 300 | A |
I2t | I²t para fusible (t = 10 ms) | 450 | A2s |
dI/dt | Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) | 50 | A/μs |
IGM | Corriente máxima de compuerta | 4 | A |
PG(AV) | Disipación media de potencia de compuerta | 1 | W |
Tstg | rango de temperatura de almacenamiento de la unión | -40 ~ 150 | °C |
TJ | Rango de temperatura de unión de funcionamiento | -40 ~ 125 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj = 25°C, salvo que se indique lo contrario)
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | |
| Mín. | Máx. | |||
| IGT | V = 12 V R = 33 Ω | 35 | mA | |
| VGT | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
| IL | IG= 1.2IGT | 180 | mA | |
| IH | IT=500 mA | 120 | mA | |
| dV/dt | VD = 2/3 VDRM compuerta abierta Tj = 125°C | 500 | V/μs | |
| VTM | ITM = 45 A tp = 380 μs | 1.7 | V | |
| IDRM | VD = VDRM VR = VRRM | 20 | μA | |
| IRRM | 4 | mA | ||
DATOS MECÁNICOS DEL ENCAPSULADO
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
